場(chǎng)阻型IGBT（Field-Stop IGBT，F(xiàn)S-IGBT）是近年來出現(xiàn)的一類非常重要的IGBT結(jié)構(gòu)，F(xiàn)S層能實(shí)現(xiàn)通態(tài)損耗與器件耐壓以及通態(tài)損耗與開關(guān)損耗之間的良好折中，因此FS型IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)S-IGBT的核心技術(shù)都掌握在Infineon、Fairchild、Toshiba等國外大公司手里，目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品基本都是由這些公司推出，國內(nèi)的IGBT商業(yè)化正處于起步階段，F(xiàn)S技術(shù)更是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于發(fā)達(dá)國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法，并通過和國內(nèi)某知名代工線合作，完成了器件制備和測(cè)試。論文圍繞600V平面柵FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對(duì)IGBT原理及FS層的原理進(jìn)行分析討論，然后結(jié)合代工線的特點(diǎn)，進(jìn)行了600V平面柵FS結(jié)構(gòu)IGBT的工藝流程、元胞結(jié)構(gòu)與終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，最后完成版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行工藝流片。所設(shè)計(jì)的器件工藝流程為：先進(jìn)行器件背面的FS層制作，然后進(jìn)行正面結(jié)構(gòu)（包括元胞和終端）的制作，最后再進(jìn)行背面的P+區(qū)注入和金屬化。2、對(duì)流片獲得的600V FS-IGBT器件進(jìn)行了主要電學(xué)參數(shù)的測(cè)試和分析。測(cè)試結(jié)果為：耐壓大于700V、正向?qū)▔航档陀?.15V、閾值電壓4.1~4.5V。滿足設(shè)計(jì)要求。本論文的研究成果對(duì)于促進(jìn)我國FS結(jié)構(gòu)IGBT的研究和產(chǎn)業(yè)化具有很好的參考價(jià)值，通過進(jìn)一步改進(jìn)工藝及結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率，最終可以形成有競(jìng)爭力的產(chǎn)品。