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介紹了RSD(Reversely Switched Dynistor)的結(jié)構(gòu)和基本工作原理，基于n 基區(qū)中等離子體雙極漂移的方程式定量分析了RSD 的開(kāi)通過(guò)程，得到了功率損耗在不同時(shí)間段的表達(dá)式，計(jì)算表明開(kāi)通前沿的換流損耗與通態(tài)下的準(zhǔn)靜態(tài)損耗相比可忽略不計(jì)。分析了功率損耗的影響因素，減小n 基區(qū)寬度Wn、增大芯片通流面積S、提高襯底摻雜濃度Nd 以及增大預(yù)充電荷量QR 都可減小RSD 的功率損耗，且功率損耗隨換流幅值的增加而增大，實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了這些結(jié)論。
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