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對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。
但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？
對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？
對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
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