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硅片自旋轉磨削法的優點與單晶硅片的加工工藝介紹

2474220 2017-09-28 | rar | 0.1 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

　　硅的材料性能

　　純凈的單晶硅具有灰色金屬光澤，硬而脆，是典型金剛石結構的半導體，經拋光后表面光亮如鏡。硅的熔點為 1420℃，常溫下硅的化學性質穩定，升溫時，很容易同氧、氯等多種物質發生反應，高溫下極活潑。硅不溶于鹽酸、硫酸、硝酸及王水，但易溶于 HF—HNO。混合液，后者常用作為硅的腐蝕液；硅易與堿反應，可用來顯示晶體缺陷；硅與金屬作用能便于實現機電器件的集成化。在室溫下，單晶硅在外力作用下很難產生位錯和滑移。但由于其抗拉應力遠大于抗剪應力，因此，在切割、研磨和機械拋光等加工過程中，硅材料由于承受剪切應力而易于產生破碎現象，從而影響成品率。 2 硅片直徑及集成電路的發展趨勢按照美國半導體工業協會（SIA）提出的微電子技術發展構圖，到 2008年，將開始使用直徑為 450 mm 的硅片，實現特征線寬 0．07btm，硅片表面總厚度變化（TTV）要求小于 0．2btm，硅片表面局部平整度（SFQD）要求為設計線寬的 z／3，硅片表面粗糙度要求達到納米和亞納米級，芯片集成度達到 9000 萬個晶體管／平方厘米等。目前，一個芯片上可集成幾億個元件，集成電路已進入 ULSI階段，ULSI電路集成度的迅速增長主要取決于以下 2個因素：一是完美晶體生長技術已達到極高的水平；二是制造設備不斷完善，加工精度、自動化程度和可靠性的提高已使器件尺寸進入深亞微米級領域。