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IR2110驅動電路設計方案：
IR2110是一種高壓高速功率MOSFET驅動器，有獨立的高端和低端輸出驅動通道，其內部功能原理框圖如圖1所示。它包括輸入/輸出邏輯電路、電平移位電路、輸出驅動電路欠壓保護和自舉電路等部分。各引出端功能分別是：1端（LO）是低通道輸出；2端（COM）是公共端；）;3端（VCC）是低端固定電源電壓；5端（US）是高端浮置電源偏移電壓；6端（UB）是高端浮置電源電壓；7端（HO）是高端輸出；9端（VDD）是邏輯電路電源電壓；10端（HIN）是高通道邏輯輸入；11端（SD）是輸入有效與否的選擇端，可用來過流過壓保護；12端（LIN）是低通道輸入；13端（VSS）是邏輯電路的地端。
如圖所示：在BUCK變換器中只需驅動單個MOEFET，因此僅應用了IR2110的高端驅動，此時將12端（LIN）低通道輸入接地、1端（LO）低通道輸出懸空。5端（US）和6端（UB）間連接一個自舉電容C1，自舉電容通常為
和
并聯使用。正常工作時，電源對自舉電容C1的充電是在續流二級管D1的導通期間進行。此時，MOEFET截止，其源極電位接近地電位，，+12v電源通過D2給C1充電，使C1上的電壓接近+12v，當MOEFET導通而D1截止時，C1自舉，D2截止，C1上存儲電荷為IR2110的高端驅動輸出提供電源。
實際應用中，邏輯電源VDD接+5V，低端固定電源電壓VCC接+12V；對驅動電路測試時需將VS端接地。
自舉電容C1的值不能太小，否則其上的自舉電壓達不到12V，驅動脈沖的幅值不夠！自舉電容通常為
和
并聯使用或（105）
。
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