我們上一章講到了米勒電容，它在 MOSFET 開(kāi)通過(guò)程中，扮演著十分重要的 角色。為什么呢？待會(huì)兒再來(lái)看。

我們先來(lái)研究一下 MOSFET 如何進(jìn)行導(dǎo)通的。首先，它和三極管一樣，也有一個(gè)導(dǎo)通閾值。在模電里面，閾值的概念是必須要理解的。也就是說(shuō)，任何器件的導(dǎo)通和關(guān)斷都要有一定的電壓，對(duì)應(yīng)的就是開(kāi)通電壓 和 關(guān)斷電壓，我們把這個(gè)電壓叫做閾值。同樣的，MOSFET 也有閾值電壓。MOSFET 導(dǎo)通電壓：4.5V 2V 1V。

這個(gè)電壓的高低在我們電路中，有多大的作用呢？我們知道了，MOSFET 柵 源之間是有壓差 Vgs（導(dǎo)通閾值電壓），那么，由于布局等因素，GND 上會(huì)有干 擾存在，地上就會(huì)毛刺，所以，控制的信號(hào)線(xiàn)上也會(huì)有干擾毛刺吧，這些毛刺是 疊加在有效的控制波形上的，比如說(shuō)疊加在方波上。

如上圖所示，比如說(shuō)地上有了毛刺了，本來(lái)是不導(dǎo)通的，由于毛刺的存在，就會(huì) 讓 MOSFET 誤導(dǎo)通。

同樣的，在高電平時(shí)也可能會(huì)產(chǎn)生毛刺是吧。那么高的毛刺沒(méi)有關(guān)系，低的毛刺 有可能造成誤關(guān)斷。上面講的誤關(guān)斷，誤開(kāi)通，我們叫做誤觸發(fā)。 所以，從抗干擾角度來(lái)看：閾值電壓越高越好。當(dāng)然，高閾值和低閾值都有它們 各自的優(yōu)缺點(diǎn)。等我們把 MOSFET 導(dǎo)通原理講清楚了之后，再來(lái)分析閾值高低閾 值導(dǎo)通電壓的各自?xún)?yōu)勢(shì)劣勢(shì)，這涉及到器件選型。

我們接下來(lái)來(lái)研究 MOSFET 的導(dǎo)通，就用比較經(jīng)典的 4.5V 導(dǎo)通閾值電壓來(lái)進(jìn) 行講解

我們看上面這幅圖。我們知道，對(duì)于 N 型的晶體管或者三極管來(lái)說(shuō)，要想飽和 導(dǎo)通，它的 E 極需要接地。但是對(duì)于 MOSFET 來(lái)說(shuō)，要想導(dǎo)通，不一定非要接地， 而是談它的 GS 之間的壓差，也就是 GS 壓差要大于 4.5V（這是假設(shè)導(dǎo)通閾值是 4.5V），換句話(huà)說(shuō)，GS 電容上兩端的電壓>4.5V，MOSFET 就是導(dǎo)通的。這個(gè)和 三極管還是有區(qū)別的

所以，MOSFET 的 S 源極也可以接地，也可以不接地，只要壓差大于 4.5V，它就 導(dǎo)通。不過(guò)，為了后面的討論方便，我們還是把 S 極接地，討論起來(lái)就相對(duì)方便

假設(shè)柵極加一個(gè)控制信號(hào)時(shí)：

高電平肯定需要大于 4.5V，這里我們?nèi)?12V。高電平，我們叫做 ON，代表管子開(kāi)通；低電平就是 OFF 了，為 0V

我們先看 ON 期間，管子是導(dǎo)通的是吧，來(lái)看一下它的回路是什么樣子的。

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