接下來我們要講一下開通和關(guān)斷的問題了。那么，MOSFET 如何進行開通，如何 進行關(guān)斷呢？以及在這個過程中，會不會也產(chǎn)生損耗。

在講這個之前，我再做一個補充：

這個電路是斷路的，一旦 GS 電容上有電的話，那么 DS 實際上是導通的，與有 沒有回路沒有關(guān)系。正式因為這樣子的一個特性，那么，我們拿到一個管子的時 候，我們也不知道這個管子 GS 有沒有電，這個管子有可能是導通的，放到電路 上去焊接的時候，可能會出現(xiàn)問題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設(shè)計的 時候，在 MOSFET 的 G 和 S 之間要加一個電阻，這樣子就可以讓 GS 電容進行放 電，有了這樣的一個放電回路，不管前面驅(qū)動端是高阻態(tài)也好，是斷路也好，反 正 G 和 S 之間是有回路的，確保管子是關(guān)閉的。

我們把 GS 之間接一個下拉電阻。那么接下來就要看，這個下拉電阻的取值。實 際上這個下拉電阻相當于三極管 N 管的下拉電阻。我們說，學習 MOS 管，要對 標我們大家都熟悉的三極管，這樣就更輕松，更容易理解。

我們說，這個下拉電阻的好處是什么啊？

1. 可以確保 B 極是兩態(tài)（三態(tài)：高、低、高阻態(tài)）。 實際上，我們害怕的就 是高阻態(tài)嘛，由于當你前面不接的時候，又斷開了，才有高阻態(tài)。在電路設(shè)計中， 我們從邏輯角度來講，不是高就是低，這樣子才是最好的，有利于電路的邏輯。

同樣的，MOSFET 加了一個下拉電阻。

作用：確保給 GS 電容提供放電回路——確保關(guān)斷，低態(tài)。

這樣 MOSFET 就只有兩態(tài)，不是高就是低。另外，下拉電阻，也可以防止雷擊，靜電。

實際上，對于晶體管來說，如果沒有一個完整的額回路，是不導通的；但是 MOSFET 不一樣，它不需要一個完整的回路，也能夠讓它導通。

接下來我們研究一下 MOSFET 的開通問題：

由于有這個 GS 電容的存在，MOSFET 的開通，肯定就會有一個延時 我們這個 MOSFET 的模型怎么去建立呢？

我們前面講過了，MOSFET 在導通的時候，DS 之間還有一個 Rdson，導通阻抗。

問題補充：

我們說，晶體管這個地方的下拉電阻是 2K，是經(jīng)過大量的實驗電路和驗證的。 對于低功耗的電路來說，這個電阻可以取高一點，但是不要取的太低。取的太低 的話，就有可能導致晶體管不能正常的工作。為什么這么說呢？我們可以舉個例 子：

因為 be 鉗位電壓，導通之后是 0.7V，前提是導通之后，這一點很重要哦。

電阻分壓后，M 電的電位要大于 0.7V 才行，所以，下拉電阻不能太小。 我們假設(shè)下拉電阻取 100Ω：

那么，M 點分壓后小于 0.7V，三極管是不會導通的。所以，下拉電阻不能太 小，當然也不能太大，否則，對于高頻開關(guān)信號來說，會影響它的關(guān)斷時間。大家在以后的電路設(shè)計中，如果是頻率相對較高的開關(guān)信號，一般都取 2K，就不 用再考慮其他的了

我們再來看 MOSFET 的下拉電阻，取多少呢？我們知道三極管的閾值電壓是 0.7V，而 MOSFET 的閾值電壓遠遠大于 0.7V，其實這里的阻值選取跟這里閾值電 壓有關(guān)，如果這里取小了，那么分壓之后，一直在它的平臺電壓，那這個 MOSFET 肯定也是不行的。所以，MOSFET一般地下拉電阻取值可以取大一點，這樣MOSFET 開通就不會產(chǎn)生影響，而 MOSFET 的放電更多的是靠前面進行放電，也沒事的對 吧。當然，這個電阻也不能太大，否則靜電雷擊也會對 MOSFET 造成損壞。

MOSFET 下拉電阻選取原則：

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