功率MOSFET市場為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場，而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等市場。甚至，隨著高壓功
2010-09-10 08:44:40
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全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）和英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x
2012-02-10 09:07:56529 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:001734 全球IDM(整合元件制造)業(yè)者持續(xù)搶攻車用電子新藍(lán)海，英飛凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等重點(diǎn)業(yè)務(wù)皆聚焦汽車相關(guān)產(chǎn)品，對于功率半導(dǎo)體、功率模組、模擬IC、中高階MOSFET(金氧半場
2017-11-27 16:00:582026 今天，我們學(xué)習(xí)一下運(yùn)放的幾個(gè)參數(shù)分析。
2022-09-14 09:08:375218 最近分析了Mosfet的寄生參數(shù)，其中Eoss是一個(gè)非常重要的參數(shù)。
2023-03-08 15:03:001842 
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-03-15 09:22:28600 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 
英飛凌 | CoolSiC?器件為臺達(dá)雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達(dá)電子選用，使得臺達(dá)電子向著利用綠色電力實(shí)現(xiàn)
2022-08-09 15:17:41
4155C 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀=======================================深圳佳捷倫電子儀器有限公司聯(lián)系人：周玲/歐陽璋***電話：0755-89519600傳真
2019-09-25 11:45:16
4155C/4156C半導(dǎo)體參數(shù)分析儀SCPI命令參考
2019-10-30 07:01:24
請問仿真工具中，如圖所示參數(shù)分別表示什么意思?網(wǎng)上找不到資料啊，謝謝
2018-04-24 11:06:58
對MOSFET的重要設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行介紹。 1. 功率損耗MOSFET的功率損耗主要受限于MOSFET的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不能超過規(guī)格書里定義的最高溫度。而結(jié)溫是由環(huán)境溫度和MOSFET自身的功耗決定
2018-07-12 11:34:11
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所增大。故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算。6、VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS
2016-05-23 11:40:20
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。本資料是針對于任何行業(yè)中對MOSFET感興趣或是想提高功率
2019-03-01 15:37:55
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實(shí)際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開關(guān)應(yīng)用，對于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個(gè)普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計(jì)工
2018-12-06 09:46:29
英飛凌IGBT參數(shù)中文版搞電源變頻器電焊機(jī) 必備資料
2019-02-09 21:33:19
公司提供了HVDC線路需要的高功率晶閘管(，按照英飛凌的說法“如果無高功率晶閘管，高壓直流耦合器就不會成為現(xiàn)實(shí)，兩個(gè)電網(wǎng)就無法通過交流鏈接實(shí)現(xiàn)耦合。”實(shí)際上，這只是英飛凌智能電網(wǎng)戰(zhàn)略中的一小部分，自從
2012-12-12 16:43:42
Keysight rAPTor 81910A全光參數(shù)分析儀
2019-07-19 14:46:17
DB-PS01 機(jī)械傳動方案創(chuàng)意組合及參數(shù)分析實(shí)驗(yàn)臺機(jī)械傳動方案創(chuàng)意組合及參數(shù)分析實(shí)驗(yàn)臺電源開關(guān)模塊一、主要技術(shù)參數(shù)：1、進(jìn)口森力瑪交流變頻電機(jī)功率：550W；2、CZ5磁粉制動器加載范圍
2021-09-03 07:24:22
`HP4145A HP4145B半導(dǎo)體參數(shù)分析儀HP4145B簡介:產(chǎn)品名稱：半導(dǎo)體參數(shù)分析儀產(chǎn)品型號：HP4145B產(chǎn)品品牌：美國惠普/HPHP4145B半導(dǎo)體參數(shù)分析儀設(shè)計(jì)用于半導(dǎo)體的生產(chǎn)線
2019-07-30 11:47:25
引言 如今，客戶要求產(chǎn)品不但節(jié)能，還要體積更小，從而推動功率轉(zhuǎn)換行業(yè)向前發(fā)展。交流/直流和直流/直流轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞牟粩喟l(fā)展，改善了轉(zhuǎn)換器效率。功率MOSFET是功率轉(zhuǎn)換器的核心部件，是設(shè)計(jì)高能效產(chǎn)品
2018-12-07 10:21:41
新一代無線通訊技術(shù)的快速發(fā)展和越來越廣泛的應(yīng)用，RF 功率 MOSFET有著非常樂觀的市場前景。而目前國內(nèi)使用的RF功率器件仍然依賴進(jìn)口，國內(nèi)RF芯片和器件自有產(chǎn)品不到1%，因此，自主開發(fā)RF功率MOSFET具有非常重要的意義。 圖1 LDMOSFET基本結(jié)構(gòu)圖
2019-07-08 08:28:02
rAPTor 81910A 全光參數(shù)分析儀
2019-08-14 14:24:52
/DC開關(guān)電源的設(shè)計(jì)開發(fā)。2009年加入英飛凌科技（中國）有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師，負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹：英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個(gè)
2012-07-13 10:50:22
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
中間值，也有些產(chǎn)品不標(biāo)上、限值。有時(shí)候也會發(fā)現(xiàn)有些產(chǎn)品的VGS的額定值為±20V，類型卻是通用驅(qū)動的功率MOSFET，這主要是為了在設(shè)計(jì)過程中平衡一些參數(shù)的需要，因此使用的時(shí)候要格外小心
2019-08-08 21:40:31
本出版物描述了81910A Photonic全參數(shù)分析儀的編程指南
2019-09-04 14:46:36
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
我做的是礦井提升機(jī)動態(tài)參數(shù)分析，用labview實(shí)現(xiàn)。是基于中國礦業(yè)大學(xué)出版社出版的礦山大型固定設(shè)備測試技術(shù)這本書，我是做里邊的提升機(jī)速度圖和力圖，這個(gè)應(yīng)該怎么設(shè)計(jì)呀？求高人給我指點(diǎn)指點(diǎn)，先謝謝啦{:4_103:}
2013-05-19 23:09:25
、服務(wù)快捷、維修能力強(qiáng)。剛到倉庫安捷倫4155C半導(dǎo)體參數(shù)分析儀hp4156c主要特性與技術(shù)指標(biāo)一般特性? 經(jīng)濟(jì)高效、精確的實(shí)驗(yàn)室用臺式參數(shù)分析儀? 4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU
2020-01-03 08:14:39
電子組件的參數(shù)與特性，如電容-電壓特性曲線、電壓-電流(IV)、電阻、電容、電感值量測或信號波形等，藉此了解組件的故障行為，以利后續(xù)的分析動作。
2018-10-24 11:11:34
雙聲道音頻功率放大器TDA7266參數(shù)分享
2021-05-20 08:08:10
回收 Agilent 4156C 精密半導(dǎo)體參數(shù)分析儀歐陽R:***QQ:1226365851回收工廠或個(gè)人、庫存閑置、二手儀器及附件。長期 專業(yè)銷售、維修、回收 高頻 二手儀器。溫馨提示：如果您
2019-12-24 14:20:14
、精確的實(shí)驗(yàn)室用臺式參數(shù)分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件，可在 PC 上通過 GUI 對儀器進(jìn)行控制測量能力10
2021-08-31 09:42:19
、精確的實(shí)驗(yàn)室用臺式參數(shù)分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件，可在 PC 上通過 GUI 對儀器進(jìn)行控制測量能力10
2021-12-08 09:15:03
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2021-12-10 11:12:51
高效、精確的實(shí)驗(yàn)室用臺式參數(shù)分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件，可在 PC 上通過 GUI 對儀器進(jìn)行控制測量
2021-12-11 09:40:11
如何使用4200A-SCS參數(shù)分析儀進(jìn)行最佳電容和AC阻抗測量？
2021-06-17 07:05:53
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實(shí)際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開關(guān)應(yīng)用，對于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù)分析在開關(guān)電源的分析與設(shè)計(jì)中，對開關(guān)工作時(shí)所形成的電壓波形及其參數(shù)的分析是致關(guān)重要的。為了分析開關(guān)電源的工作特性，研究了開關(guān)電源的電路模型及電壓波形的形成過程，針對分析
2020-07-15 15:17:28
的實(shí)驗(yàn)室用臺式參數(shù)分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件，可在 PC 上通過 GUI 對儀器進(jìn)行控制測量能力10 fA
2021-11-13 11:16:39
、精確的實(shí)驗(yàn)室用臺式參數(shù)分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件，可在 PC 上通過 GUI 對儀器進(jìn)行控制測量能力10
2021-12-07 08:44:30
轎車參數(shù)化分析模型的構(gòu)造研究及應(yīng)用概念設(shè)計(jì)階段是車身結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中保證性能的重要階段這個(gè)階段留下的缺陷往往很難在后續(xù)的設(shè)計(jì)中彌補(bǔ)因而在車身開發(fā)中受到廣泛重視目前國內(nèi)外在這方面都展開了詳細(xì)的研究尤其是國外
2009-04-16 13:40:51
顯示器行管等參數(shù)分享
2006-06-01 22:27:49
19 可靠、功能完備、自動化程度高、測試效率高、在國內(nèi)處于先進(jìn)水平，是電力行業(yè)用于互感器的專業(yè)測試儀器。產(chǎn)品別稱：CT參數(shù)分析儀、CT分析儀、變頻CT分析儀、CTPT分
2022-11-10 21:26:39
功率MOSFET驅(qū)動電路分析:針對功率MOSFET的特點(diǎn)，介紹由多個(gè)—概管組成的組臺式驅(qū)動電路．在逆變焊接電源上做了實(shí)驗(yàn)．驗(yàn)證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:5470 Agilent 41000系列集成參數(shù)分析和表征環(huán)境(iPACE)
2010-07-23 21:24:2711 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:073401 
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:385513 
功率Mosfet參數(shù)介紹
第一部分 最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39:538574 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 為了滿足低端場合的信號參數(shù)分析儀性價(jià)比高的要求，設(shè)計(jì)出低成本正弦波信號參數(shù)分析儀。系統(tǒng)由頻率測量、幅度測量和信號發(fā)生器三大部分組成。頻率測量部分由單片機(jī)89S52采用測
2011-03-21 10:44:5786 分析比較了AB類功率放大器與 D類功率放大器 的輸出率，肯定了D類功率放大器效率高的優(yōu)點(diǎn)，總結(jié)了D類功率放大器的工作原理，并對D類功率參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計(jì)分析
2011-08-16 16:24:32116 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451014 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381391 L6561D------中文功率因數(shù)分析
2015-12-23 14:08:0633 一種線性調(diào)頻信號參數(shù)分析的綜合方法，下來看看。
2016-01-15 15:17:2410 電感儲能型脈沖電源系統(tǒng)的半解析參數(shù)分析_丁健民
2017-01-04 16:45:450 Halbach陣列同心式磁力齒輪參數(shù)分析與優(yōu)化設(shè)計(jì)_井立兵
2017-01-08 12:03:281 雙定子混合勵磁超環(huán)面電機(jī)結(jié)構(gòu)及電感參數(shù)分析_劉欣
2017-01-08 13:49:171 近日英飛凌擬收購ST半導(dǎo)體的消息受到廣泛關(guān)注，作為全球功率器件老大，英飛凌日前發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示強(qiáng)勁的增長，在全球MOSFET供應(yīng)吃緊，價(jià)格飆漲的形勢下，英飛凌稱部分MOSFET產(chǎn)品交貨時(shí)間超過26周，最長達(dá)52周。
2018-08-06 11:25:414299 我們都知道在線多參數(shù)分析儀在石油化工、生物醫(yī)藥、污水處理、環(huán)境監(jiān)測等行業(yè)被廣泛應(yīng)用，因?yàn)樗亩嘈院途C合性，給我們的工業(yè)生產(chǎn)帶來了極大的便利，運(yùn)用更方便，效果也更明顯。
2020-04-16 11:02:411470 數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類：即最大額定值和電氣特性值。對于前者，在任何情況下都 不能超過，否則器件將永久損害；對于后者，一般以最小值、最大值、和典型值的形式給出，它們的值與測試方法和應(yīng)用條件密切相關(guān)。在實(shí)際應(yīng)用中，若超出電氣特性值，器件本身并不一定損壞，但如果設(shè)計(jì)裕度不足，可能導(dǎo)致電路工作失常。
2020-07-14 11:24:031216 
什么樣的MOSFET才適合儲能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251014 
吉時(shí)利的參數(shù)分析系統(tǒng)配置是功率器件特性分析的完整分析方案，包括高質(zhì)量儀器、電纜、測試夾具和軟件。
2020-11-30 09:31:32558 功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計(jì)。
2021-03-22 17:23:1631 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 缺芯潮影響范圍越來越大，漲價(jià)一波接一波。據(jù)媒體報(bào)道，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產(chǎn)品漲價(jià)，MOSFET的漲幅將有12%，預(yù)計(jì)本月中旬執(zhí)行。還有多家功率半導(dǎo)體廠商也在近期發(fā)布了漲價(jià)通知
2021-06-23 17:11:55876 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161651 
功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 在進(jìn)行功率MOSFET電路設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的重要參數(shù)是電流、電壓、功耗和熱。功耗和熱通常相互關(guān)聯(lián)。
2022-07-26 17:18:302279 
每個(gè)產(chǎn)品都有很多參數(shù)，密密麻麻的參數(shù)不清楚究竟表達(dá)了什么意思，那今天來看看MOS管的產(chǎn)品參數(shù)分別是什么含義呢？
2022-09-01 17:25:484091 
B1500A 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀/半導(dǎo)體表征系統(tǒng)主機(jī) 一臺半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器 Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀， 能夠測量 IV、CV
2023-03-07 11:10:421081 西門子EDA將XpeditionAMS與HyperLynx Advanced 3D電磁求解器集成在一起，將電路板級寄生參數(shù)分析帶入電路設(shè)計(jì)過程，從而最有效地進(jìn)行設(shè)計(jì)更改。在設(shè)計(jì)過程的早期考慮布局寄生參數(shù)，從而減少了下游設(shè)計(jì)迭代的風(fēng)險(xiǎn)，并且是保持項(xiàng)目按時(shí)、按預(yù)算和按規(guī)范工作的關(guān)鍵。
2023-05-15 15:44:19717 
安捷倫4155A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 4155A 是安捷倫的半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以測量和分析多種電子設(shè)備、材料、有源或無源元件、半導(dǎo)體
2023-06-08 09:02:57185 
安捷倫B1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 B1500A 是安捷倫的半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以測量和分析多種電子設(shè)備、材料、有源或無源元件、半導(dǎo)體
2023-06-08 09:23:33877 
Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀源是一種可以量身定制、全面集成的參數(shù)分析儀，可以同步查看電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V)和超快速脈沖式I-V特性。作為性能最高的參數(shù)分析
2021-12-01 16:20:361219 
或任何其他類型的電子設(shè)備的電氣特性。工程師使用這臺測試設(shè)備來監(jiān)測不同類型設(shè)備中的電流和電壓響應(yīng)。 附加的功能： 經(jīng)濟(jì)高效、精確的實(shí)驗(yàn)室臺式參數(shù)分析儀 4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU 前面板填空操作 包括用于基于 PC 的 GUI 儀器控制的 Desktop
2023-07-12 08:23:32264 安捷倫4156C半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 4156C 是安捷倫的半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以測量和分析多種電子設(shè)備、材料、有源或無源元件、半導(dǎo)體
2023-07-12 08:39:49410 
安捷倫4156A/Agilent4156B半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 4156A 是安捷倫的半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以測量和分析多種電子設(shè)備、材料
2023-07-12 08:52:35352 安捷倫4155A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 4155A 是安捷倫的半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以測量和分析多種電子設(shè)備、材料、有源或無源元件、半導(dǎo)體
2023-07-12 09:03:04265 安捷倫B1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 B1500A 是安捷倫的半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以測量和分析多種電子設(shè)備、材料、有源或無源元件、半導(dǎo)體
2023-07-12 09:16:27530 
近日某院校送修是德半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀B1500A，客戶反饋半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀電源損壞無法開機(jī)，對儀器進(jìn)行初步檢測，確定與客戶描述故障一致。本期將為大家分享本維修案例。 下面
2023-09-28 16:33:50525 
碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開關(guān)速度快，dv/dt高，短路時(shí)間小，對驅(qū)動電壓的選擇、驅(qū)動參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29130
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