功率MOSFET市場為歐美IDM半導體廠商所掌控,諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應用市場,而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應用于工業、汽車等市場。甚至,隨著高壓功
2010-09-10 08:44:40
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全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系,擴展協議將包括5x
2012-02-10 09:07:56
529 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產品是有超結(Super Junction)構造的功率MOSFET“CoolMOS系列產品”,由奧地利菲拉赫工廠生產。
2013-02-25 08:53:00
1734 全球IDM(整合元件制造)業者持續搶攻車用電子新藍海,英飛凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等重點業務皆聚焦汽車相關產品,對于功率半導體、功率模組、模擬IC、中高階MOSFET(金氧半場
2017-11-27 16:00:58
2026 今天,我們學習一下運放的幾個參數分析。
2022-09-14 09:08:37
5218 最近分析了Mosfet的寄生參數,其中Eoss是一個非常重要的參數。
2023-03-08 15:03:00
1842 
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-03-15 09:22:28
600 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容,此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案,在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:43
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英飛凌 | CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用,使得臺達電子向著利用綠色電力實現
2022-08-09 15:17:41
4155C 半導體參數分析儀=======================================深圳佳捷倫電子儀器有限公司聯系人:周玲/歐陽璋***電話:0755-89519600傳真
2019-09-25 11:45:16
4155C/4156C半導體參數分析儀SCPI命令參考
2019-10-30 07:01:24
請問仿真工具中,如圖所示參數分別表示什么意思?網上找不到資料啊,謝謝
2018-04-24 11:06:58
對MOSFET的重要設計參數進行介紹。 1. 功率損耗MOSFET的功率損耗主要受限于MOSFET的結溫,基本原則就是任何情況下,結溫不能超過規格書里定義的最高溫度。而結溫是由環境溫度和MOSFET自身的功耗決定
2018-07-12 11:34:11
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數MOSFET的驅動技術
2021-03-04 06:43:10
的參數,決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。6、VGS(th):開啟電壓(閥值電壓)。當外加柵極控制電壓VGS
2016-05-23 11:40:20
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析,可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數,進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示,在研發功率
2019-07-04 06:22:42
參數計算并且選擇應用了實用可靠的驅動電路。此外,對功率MOSFET在兆赫級并聯山于不同的參數影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。本資料是針對于任何行業中對MOSFET感興趣或是想提高功率
2019-03-01 15:37:55
。由于相應理論技術文章有很多介紹 MOSFET 參數和性能的,這里不作贅述,只對實際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外,這里的功率 MOSFET 應用選型為功率開關應用,對于功率放大應用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
`功率Mosfet參數介紹V(BR)DSS(有時候叫做BVDSS)是指在特定的溫度和柵源短接情況下,流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
,從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是,能夠最終避免采用插件封裝的器件(比如TO220、TO247)。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET,如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
英飛凌IGBT參數中文版搞電源變頻器電焊機 必備資料
2019-02-09 21:33:19
公司提供了HVDC線路需要的高功率晶閘管(,按照英飛凌的說法“如果無高功率晶閘管,高壓直流耦合器就不會成為現實,兩個電網就無法通過交流鏈接實現耦合。”實際上,這只是英飛凌智能電網戰略中的一小部分,自從
2012-12-12 16:43:42
Keysight rAPTor 81910A全光參數分析儀
2019-07-19 14:46:17
DB-PS01 機械傳動方案創意組合及參數分析實驗臺機械傳動方案創意組合及參數分析實驗臺電源開關模塊一、主要技術參數:1、進口森力瑪交流變頻電機功率:550W;2、CZ5磁粉制動器加載范圍
2021-09-03 07:24:22
`HP4145A HP4145B半導體參數分析儀HP4145B簡介:產品名稱:半導體參數分析儀產品型號:HP4145B產品品牌:美國惠普/HPHP4145B半導體參數分析儀設計用于半導體的生產線
2019-07-30 11:47:25
引言 如今,客戶要求產品不但節能,還要體積更小,從而推動功率轉換行業向前發展。交流/直流和直流/直流轉換器拓撲的不斷發展,改善了轉換器效率。功率MOSFET是功率轉換器的核心部件,是設計高能效產品
2018-12-07 10:21:41
新一代無線通訊技術的快速發展和越來越廣泛的應用,RF 功率 MOSFET有著非常樂觀的市場前景。而目前國內使用的RF功率器件仍然依賴進口,國內RF芯片和器件自有產品不到1%,因此,自主開發RF功率MOSFET具有非常重要的意義。 圖1 LDMOSFET基本結構圖
2019-07-08 08:28:02
rAPTor 81910A 全光參數分析儀
2019-08-14 14:24:52
/DC開關電源的設計開發。2009年加入英飛凌科技(中國)有限公司。任系統應用工程師,負責英飛凌功率半導體器件的應用和方案推廣。演講內容介紹:英飛凌新的OptiMOS產品為MOSFET分離器件設立了一個
2012-07-13 10:50:22
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子
2021-01-30 13:20:31
中間值,也有些產品不標上、限值。有時候也會發現有些產品的VGS的額定值為±20V,類型卻是通用驅動的功率MOSFET,這主要是為了在設計過程中平衡一些參數的需要,因此使用的時候要格外小心
2019-08-08 21:40:31
本出版物描述了81910A Photonic全參數分析儀的編程指南
2019-09-04 14:46:36
所在各類半導體功率器件中,未來增長強勁的產品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導體市場仍由歐美日企業主導,其中英飛凌以 19%的市占率占據絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:50:23
我做的是礦井提升機動態參數分析,用labview實現。是基于中國礦業大學出版社出版的礦山大型固定設備測試技術這本書,我是做里邊的提升機速度圖和力圖,這個應該怎么設計呀?求高人給我指點指點,先謝謝啦{:4_103:}
2013-05-19 23:09:25
、服務快捷、維修能力強。剛到倉庫安捷倫4155C半導體參數分析儀hp4156c主要特性與技術指標一般特性? 經濟高效、精確的實驗室用臺式參數分析儀? 4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU
2020-01-03 08:14:39
電子組件的參數與特性,如電容-電壓特性曲線、電壓-電流(IV)、電阻、電容、電感值量測或信號波形等,藉此了解組件的故障行為,以利后續的分析動作。
2018-10-24 11:11:34
雙聲道音頻功率放大器TDA7266參數分享
2021-05-20 08:08:10
回收 Agilent 4156C 精密半導體參數分析儀歐陽R:***QQ:1226365851回收工廠或個人、庫存閑置、二手儀器及附件。長期 專業銷售、維修、回收 高頻 二手儀器。溫馨提示:如果您
2019-12-24 14:20:14
、精確的實驗室用臺式參數分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件,可在 PC 上通過 GUI 對儀器進行控制測量能力10
2021-08-31 09:42:19
、精確的實驗室用臺式參數分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件,可在 PC 上通過 GUI 對儀器進行控制測量能力10
2021-12-08 09:15:03
、精確的實驗室用臺式參數分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件,可在 PC 上通過 GUI 對儀器進行控制測量能力10
2021-12-10 11:12:51
高效、精確的實驗室用臺式參數分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件,可在 PC 上通過 GUI 對儀器進行控制測量
2021-12-11 09:40:11
如何使用4200A-SCS參數分析儀進行最佳電容和AC阻抗測量?
2021-06-17 07:05:53
。由于相應理論技術文章有很多介紹 MOSFET 參數和性能的,這里不作贅述,只對實際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外,這里的功率 MOSFET 應用選型為功率開關應用,對于功率放大應用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
開關電源的電壓波形及其參數分析在開關電源的分析與設計中,對開關工作時所形成的電壓波形及其參數的分析是致關重要的。為了分析開關電源的工作特性,研究了開關電源的電路模型及電壓波形的形成過程,針對分析
2020-07-15 15:17:28
的實驗室用臺式參數分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件,可在 PC 上通過 GUI 對儀器進行控制測量能力10 fA
2021-11-13 11:16:39
、精確的實驗室用臺式參數分析儀4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU填空式前面板操作包括 Desktop EasyEXPERT 軟件,可在 PC 上通過 GUI 對儀器進行控制測量能力10
2021-12-07 08:44:30
轎車參數化分析模型的構造研究及應用概念設計階段是車身結構設計中保證性能的重要階段這個階段留下的缺陷往往很難在后續的設計中彌補因而在車身開發中受到廣泛重視目前國內外在這方面都展開了詳細的研究尤其是國外
2009-04-16 13:40:51
顯示器行管等參數分享
2006-06-01 22:27:49
19 可靠、功能完備、自動化程度高、測試效率高、在國內處于先進水平,是電力行業用于互感器的專業測試儀器。產品別稱:CT參數分析儀、CT分析儀、變頻CT分析儀、CTPT分
2022-11-10 21:26:39
功率MOSFET驅動電路分析:針對功率MOSFET的特點,介紹由多個—概管組成的組臺式驅動電路.在逆變焊接電源上做了實驗.驗證了該方法的合理性。關鍵詞:功率MOSFET,半橋式電路,
2010-04-12 08:36:54
70 Agilent 41000系列集成參數分析和表征環境(iPACE)
2010-07-23 21:24:27
11 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性,然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求,
2010-11-11 15:34:22
201 英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢,可降低設
2009-06-23 21:17:44
594 功率MOSFET并聯均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究,詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:07
3401 
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的
2009-07-06 13:49:38
5513 
功率Mosfet參數介紹
第一部分 最大額定參數最大額定參數,所有數值取得條件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39:53
8574 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協議
全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51
571 為了滿足低端場合的信號參數分析儀性價比高的要求,設計出低成本正弦波信號參數分析儀。系統由頻率測量、幅度測量和信號發生器三大部分組成。頻率測量部分由單片機89S52采用測
2011-03-21 10:44:57
86 分析比較了AB類功率放大器與 D類功率放大器 的輸出率,肯定了D類功率放大器效率高的優點,總結了D類功率放大器的工作原理,并對D類功率參數進行了設計分析
2011-08-16 16:24:32
116 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:45
1014 飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系,擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22
807 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品,進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:38
1391 L6561D------中文功率因數分析
2015-12-23 14:08:06
33 一種線性調頻信號參數分析的綜合方法,下來看看。
2016-01-15 15:17:24
10 電感儲能型脈沖電源系統的半解析參數分析_丁健民
2017-01-04 16:45:45
0 Halbach陣列同心式磁力齒輪參數分析與優化設計_井立兵
2017-01-08 12:03:28
1 雙定子混合勵磁超環面電機結構及電感參數分析_劉欣
2017-01-08 13:49:17
1 近日英飛凌擬收購ST半導體的消息受到廣泛關注,作為全球功率器件老大,英飛凌日前發布的財報顯示強勁的增長,在全球MOSFET供應吃緊,價格飆漲的形勢下,英飛凌稱部分MOSFET產品交貨時間超過26周,最長達52周。
2018-08-06 11:25:41
4299 我們都知道在線多參數分析儀在石油化工、生物醫藥、污水處理、環境監測等行業被廣泛應用,因為它的多效性和綜合性,給我們的工業生產帶來了極大的便利,運用更方便,效果也更明顯。
2020-04-16 11:02:41
1470 數據表中的參數分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。對于前者,在任何情況下都 不能超過,否則器件將永久損害;對于后者,一般以最小值、最大值、和典型值的形式給出,它們的值與測試方法和應用條件密切相關。在實際應用中,若超出電氣特性值,器件本身并不一定損壞,但如果設計裕度不足,可能導致電路工作失常。
2020-07-14 11:24:03
1216 
什么樣的MOSFET才適合儲能系統?英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET:650V CoolSiC MOSFET產品系列,幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:25
1014 
吉時利的參數分析系統配置是功率器件特性分析的完整分析方案,包括高質量儀器、電纜、測試夾具和軟件。
2020-11-30 09:31:32
558 功率MOSFET應用研究及主電路設計。
2021-03-22 17:23:16
31 功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:02
48 缺芯潮影響范圍越來越大,漲價一波接一波。據媒體報道,全球功率半導體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產品漲價,MOSFET的漲幅將有12%,預計本月中旬執行。還有多家功率半導體廠商也在近期發布了漲價通知
2021-06-23 17:11:55
876 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:38
2073 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:16
1651 
功率MOSFET特性參數的理解
2022-07-13 16:10:39
24 在進行功率MOSFET電路設計時需要注意的重要參數是電流、電壓、功耗和熱。功耗和熱通常相互關聯。
2022-07-26 17:18:30
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每個產品都有很多參數,密密麻麻的參數不清楚究竟表達了什么意思,那今天來看看MOS管的產品參數分別是什么含義呢?
2022-09-01 17:25:48
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B1500A 半導體器件參數分析儀/半導體表征系統主機 一臺半導體參數分析儀抵得上多種測量儀器 Keysight B1500A 半導體參數分析儀是一款一體化器件表征分析儀, 能夠測量 IV、CV
2023-03-07 11:10:42
1081 西門子EDA將XpeditionAMS與HyperLynx Advanced 3D電磁求解器集成在一起,將電路板級寄生參數分析帶入電路設計過程,從而最有效地進行設計更改。在設計過程的早期考慮布局寄生參數,從而減少了下游設計迭代的風險,并且是保持項目按時、按預算和按規范工作的關鍵。
2023-05-15 15:44:19
717 
安捷倫4155A半導體參數分析儀 4155A 是安捷倫的半導體參數分析儀。半導體參數分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導體參數分析儀可以測量和分析多種電子設備、材料、有源或無源元件、半導體
2023-06-08 09:02:57
185 
安捷倫B1500A半導體參數分析儀 B1500A 是安捷倫的半導體參數分析儀。半導體參數分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導體參數分析儀可以測量和分析多種電子設備、材料、有源或無源元件、半導體
2023-06-08 09:23:33
877 
Keithley4200A-SCS參數分析儀源是一種可以量身定制、全面集成的參數分析儀,可以同步查看電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V)和超快速脈沖式I-V特性。作為性能最高的參數分析
2021-12-01 16:20:36
1219 
或任何其他類型的電子設備的電氣特性。工程師使用這臺測試設備來監測不同類型設備中的電流和電壓響應。 附加的功能: 經濟高效、精確的實驗室臺式參數分析儀 4x 中等功率 SMU、2xVSU 和 2xVMU 前面板填空操作 包括用于基于 PC 的 GUI 儀器控制的 Desktop
2023-07-12 08:23:32
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安捷倫4156C半導體參數分析儀 4156C 是安捷倫的半導體參數分析儀。半導體參數分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導體參數分析儀可以測量和分析多種電子設備、材料、有源或無源元件、半導體
2023-07-12 08:39:49
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安捷倫4156A/Agilent4156B半導體參數分析儀 4156A 是安捷倫的半導體參數分析儀。半導體參數分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導體參數分析儀可以測量和分析多種電子設備、材料
2023-07-12 08:52:35
352 
安捷倫4155A半導體參數分析儀 4155A 是安捷倫的半導體參數分析儀。半導體參數分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導體參數分析儀可以測量和分析多種電子設備、材料、有源或無源元件、半導體
2023-07-12 09:03:04
265 
安捷倫B1500A半導體參數分析儀 B1500A 是安捷倫的半導體參數分析儀。半導體參數分析儀是用于各種測量功能的多合一工具。半導體參數分析儀可以測量和分析多種電子設備、材料、有源或無源元件、半導體
2023-07-12 09:16:27
530 
近日某院校送修是德半導體器件參數分析儀B1500A,客戶反饋半導體器件參數分析儀半導體器件參數分析儀電源損壞無法開機,對儀器進行初步檢測,確定與客戶描述故障一致。本期將為大家分享本維修案例。 下面
2023-09-28 16:33:50
525 
碳化硅MOSFET導通損耗低,開關速度快,dv/dt高,短路時間小,對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士,在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10
212 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36
315 
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49
363 
英飛凌科技股份公司,作為全球領先的半導體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
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