DDR3的設(shè)計有著嚴格等長要求，歸結(jié)起來分為兩類（以64位的DDR3為例）： 數(shù)據(jù) （DQ、DQS、DQM）：組內(nèi)等長，誤差控制在20MIL以內(nèi)，組間不需要考慮等長；地址、控制、時鐘信號：地址、控制信號以時鐘作參考，誤差控制在100MIL以內(nèi)，Address、Control與CLK歸為一組，因為Address、Control是以CLK的下降沿觸發(fā)的由DDR控制器輸出，DDR顆粒由CLK的上升沿鎖存Address、Control總線上的狀態(tài)，所以需要嚴格控制CLK與Address/Command、Control之間的時序關(guān)系，確保DDR顆粒能夠獲得足夠的建立和保持時間。 關(guān)注等長的目的就是為了等時，繞等長時需要注意以下幾點： 1、確認芯片是否有Pin-delay,繞線時要確保Pin-delay開關(guān)已經(jīng)打開； 2、同組信號走在同層，保證不會因換層影響實際的等時；同樣的換層結(jié)構(gòu)，換層前后的等長要匹配，即時等長；不同層的傳播延時需要考慮，如走在表層與走在內(nèi)層，其傳播速度是不一樣的，所以在走線的時候需要考慮，表層走線盡量短，讓其差別盡量小（這也是為什么Intel的很多GUIDE上面要求，表層的走線長度不超過250MIL等要求的原因）； 3、Z軸的延時：在嚴格要求的情況下，需要把Z軸的延時開關(guān)也打開，做等長時需要考慮（ALLEGRO中層疊需要設(shè)置好，Z軸延時才是對的）。 4、蛇形繞線時單線按3W，差分按5W繞線（W為線寬）。且保證各BUS信號組內(nèi)間距按3H， 不同組組間間距為5H （H為到主參考平面間距），DQS和CLK 距離其他信號間距做到5H以上。單線和差分繞線方式如下圖1所示： 圖1：單線和差分繞線方式示例 而另一個核心重點便是電源處理。DDR3中有三類電源，它們是VDD（1.5V）、VTT（0.75V）、VREF（0.75V，包括VREFCA和VREFDQ）。 1、 VDD（1.5V）電源是DDR3的核心電源，其引腳分布比較散，且電流相對會比較大，需要在電源平面分配一個區(qū)域給VDD（1.5V）；VDD的容差要求是5%，詳細在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和專用的一定數(shù)量的去耦電容，可以做到電源完整性。VDD電源平面處理如下圖2所示： 圖2：VDD電源處理 2、VTT電源，它不僅有嚴格的容差性，而且還有很大的瞬間電流；可以通過增加去耦電容來實現(xiàn)它的目標阻抗匹配；由于VTT是集中在終端的上拉電阻處，不是很分散，且對電流有一定的要求，在處理VTT電源時，一般是在元件面同層通過鋪銅直接連接，銅皮要有一定寬度（120MIl）。VTT電源處理如圖3所示： 圖3：VTT電源 3.VREF電源 。 VREF要求更加嚴格的容差性，但是它承載的電流比較小。它不需要非常寬的走線，且通過一兩個去耦電容就可以達到目標阻抗的要求。DDR3的VERF電源已經(jīng)分為VREFCA和VREFDQ兩部分，且每個DDR3顆粒都有單獨的VREFCA和VREFDQ，因其相對比較獨立，電流也不大，布線處理時也建議用與器件同層的銅皮或走線直接連接，無須在電源平面層為其分配電源。注意鋪銅或走線時，要先經(jīng)過電容再接到芯片的電源引腳，不要從分壓電阻那里直接接到芯片的電源引腳。VREF電源處理如圖4所示： 圖4：VREF電源 濾波電容的FANOUT 小電容盡量靠近相應的電源引腳，電容的引線也要盡量短，并減少電源或地共用過孔； 圖5 ： 小濾波電容的Fanout Bulk電容的FANOUT 電源的Bulk電容一般在設(shè)計中起到的是儲能濾波的作用，在做Fanout時要多打孔，建議2個孔以上，電容越大需要過孔越多，也可以用鋪銅的形式來做。電容的電源孔和地孔盡量靠近打，如圖6所示。 圖6：儲能電容的Fanout 綜上所述，我們常規(guī)DDR3的走線設(shè)計總結(jié)如下表： 本文轉(zhuǎn)載自： 免責聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進行處理。 (mbbeetchina)