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本文針對LDMOS 器件在ESD 保護(hù)應(yīng)用中的原理進(jìn)行了分析，重點討論了設(shè)計以及應(yīng)用過程中如何降低高觸發(fā)電壓和有效提高二次擊穿電流，結(jié)合實際工藝對器件進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化，得到了承受4KV ESD 電壓的LDMOS器件。
ESD（Electrostatic Discharge）現(xiàn)象對集成電路的可靠性造成了巨大威脅，利用片內(nèi)半導(dǎo)體器件形成保護(hù)電路是提高ESD 保護(hù)的重要手段[1]。一般的消費電子產(chǎn)品要求在人體放電模式（ HBM ，Human-Body Mode）模式下承受的ESD 電壓大于2KV。智能功率集成電路通常需要高低壓器件兼容集成來實現(xiàn)，橫向雙擴(kuò)散絕緣柵場效應(yīng)晶體管（LDMOS，Lateral Double Diffused MOS Transistor）具有較高耐壓，且與雙極、CMOS 低壓工藝兼容，易于集成而被廣泛應(yīng)用于智能功率IC 中。同時，LDMOS 被廣泛選用對高壓通道進(jìn)行ESD 保護(hù)。本文利用雙金屬層、0.6μm 雙極-互補(bǔ)MOS-雙擴(kuò)散MOS（BCD）工藝下的LDMOS 來實現(xiàn)一塊智能功率IC 輸出端口的靜電保護(hù)，并成功通過測試，有效提高了芯片的可靠性。
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