碩凱電子SOCAY半導體放電管TSS工作原理及選型應用

1、產(chǎn)品簡述半導體過壓保護器是根據(jù)可控硅原理采用離子注入技術生產(chǎn)的一種新型保護器件，具有精確導通、快速響應（響應時間 ns 級）、浪涌吸收能力較強、雙向?qū)ΨQ、可靠性高等特點。由于其浪涌通流能力較同尺寸的 TVS 管強，可在無源電路中代替 TVS 管使用。但它的導通特性接近于短路，不能直接用于有源電路中，在這樣的電路中使用時必須加限流元件，使其續(xù)流小于最小維持電流。半導體過壓保護器有貼裝式、直插式和軸向引線式三種封裝形式。

2、工作原理 ?反向工作狀態(tài)（K端接正、A端接負） ?正向工作狀態(tài)（A端接正、K端接負）

①阻斷區(qū)：此時器件兩端所加電壓低于擊穿電壓，J1正偏，J2為反偏，電流很小，起了阻擋電流的作用，外加電壓幾乎都加在了J2上。

②雪崩區(qū)：當外加電壓上升接近J2結(jié)的雪崩擊穿電壓時，反偏J2結(jié)空間電荷區(qū)寬度擴展的同時，結(jié)區(qū)內(nèi)電場大大增強，從而引起倍增效應加強。于是，通過J2結(jié)的電流突然增大，并使流過器件的電流也增大，這就是電壓增加，電流急劇增加的雪崩區(qū)。

③負阻區(qū)：當外加電壓增加到大于VBO時，由于雪崩倍增效應而產(chǎn)生了大量的電子空穴對，此時這些載流子在強場的作用下，電子進入n2區(qū)，空穴進入p1區(qū)，由于不能很快復合而分別堆積起來，使J2空間電荷區(qū)變窄。由此使p1區(qū)電位升高、n2區(qū)電位下降，起了抵消外電壓的作用。隨著J2結(jié)區(qū)電場的減弱，降落在J2結(jié)上的外電壓將下降，雪崩效應也隨之減弱。另一方面，J1、J3結(jié)的正向電壓卻有所增加，注入增強，造成通過J2結(jié)的電流增大，于是出現(xiàn)了電流增加電壓減小的負阻現(xiàn)象。

④低阻通態(tài)區(qū)：如上所述，雪崩效應使J2結(jié)兩側(cè)形成空穴和電子的積累，造成J2結(jié)反偏電壓減小；同時又使J1、J3結(jié)注入增強，電流增大，因而J2結(jié)兩側(cè)繼續(xù)有電荷積累，結(jié)電壓不斷下降。當電壓下降到雪崩倍增完全停止，結(jié)電壓全部被抵消后，J2結(jié)兩側(cè)仍有空穴和電子積累時，J2結(jié)變?yōu)檎４藭r，J1、J2和J3全部為正偏，器件可以通過大電流，因而處于低阻通態(tài)區(qū)。完全導通時，其伏安特性曲線與整流元件相似。