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下發(fā)資料
講稿大綱和摘要
下周三復(fù)習(xí)課將進(jìn)行測(cè)驗(yàn)
·定性描述：-熱平衡狀態(tài)下的金屬氧化物半導(dǎo)體
結(jié)構(gòu)定義：金屬/二氧化硅/p 型（例子：n-MOS）
金屬和硅有關(guān)的靜電勢(shì)：?m
零偏的情況：如果：?m > ?pSi，
硅表面耗盡
反向偏置：從耗盡到平帶到積累
正向偏置：耗盡到臨界到反型層
·定量模型：熱平衡狀態(tài)下的金屬氧化物
耗盡近似法應(yīng)用于??S電容器
?平帶電壓：VFB
?積累層電荷密度：qA*
?最大耗盡寬度XDT
?開(kāi)啟電壓：VT
?反型層電荷密度：qN*
·偏置金屬氧化物半導(dǎo)體在臨近區(qū)域的應(yīng)用
耗盡層的寬度
開(kāi)啟電壓的影響
·通告：
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講稿大綱和摘要
下周三復(fù)習(xí)課將進(jìn)行測(cè)驗(yàn)
·定性描述：-熱平衡狀態(tài)下的金屬氧化物半導(dǎo)體
結(jié)構(gòu)定義：金屬/二氧化硅/p 型（例子：n-MOS）
金屬和硅有關(guān)的靜電勢(shì)：?m
零偏的情況：如果：?m > ?pSi，
硅表面耗盡
反向偏置：從耗盡到平帶到積累
正向偏置：耗盡到臨界到反型層
·定量模型：熱平衡狀態(tài)下的金屬氧化物
耗盡近似法應(yīng)用于??S電容器
?平帶電壓：VFB
?積累層電荷密度：qA*
?最大耗盡寬度XDT
?開(kāi)啟電壓：VT
?反型層電荷密度：qN*
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