本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是電子封裝材料與工藝的學(xué)習(xí)筆記詳細(xì)資料免費(fèi)下載包括了：第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造，第二章 塑料、橡膠和復(fù)合材料，第三章 陶瓷和玻璃，第四章 金屬，第五章 電子封裝與組裝的軟釬焊技術(shù)，第六章 電鍍和沉積金屬涂層，第七章 印制電路板的制造，第八章 混合微電路與多芯片模塊的材料與工藝，第九章 電子組件中的粘接劑、 下填料和涂層，第十章 熱管理材料及系統(tǒng)

　　1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋轉(zhuǎn)的荷負(fù)電的電子組成（Neils Bohr 于1913 年提出）。當(dāng)原子彼此靠近時(shí)，它們之間發(fā)生交互作用的形成所謂的化學(xué)鍵，化學(xué)鍵可以分成離子鍵、共價(jià)鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵；

　　2、真空管（電子管）：

　　a.真空管問世于1883 年Edison（愛迪生）發(fā)明白熾燈時(shí)，1903 年英格蘭的J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極；

　　b.當(dāng)電子管含有兩個(gè)電極（陽極和陰極）時(shí)，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發(fā)明家LeeDeForest 在陰極和陽極之間加入了一個(gè)柵極（一個(gè)精細(xì)的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴(kuò)大電子管的功能；

　　c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個(gè)多世紀(jì)，但是有很多缺點(diǎn)，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進(jìn)展消除了真空管的缺點(diǎn)，真空管開始從許多電子產(chǎn)品的使用中退出；

　　3、半導(dǎo)體理論：

　　a.在IC 芯片制造中使用的典型半導(dǎo)體材料有元素半導(dǎo)體硅、鍺、硒，半導(dǎo)體化合物有砷化鎵（GaAs）、磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）；

　　b.二極管（一個(gè)p-n 結(jié)），當(dāng)結(jié)上為正向偏壓時(shí)可以導(dǎo)通電流，當(dāng)反向偏壓時(shí)則電流停止；

　　c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個(gè)或兩個(gè)以上的p-n 結(jié)組合成一個(gè)器件，導(dǎo)致了晶體管的出現(xiàn)，晶體管是一種能夠放大信號或每秒開關(guān)電流幾十億次的器件。最初的器件使用點(diǎn)接觸穿入鍺半導(dǎo)體本體，隨后的晶體管使用鍺作為半導(dǎo)體的結(jié)（雙極）型晶體管，鍺這種半導(dǎo)體材料后來被硅所代替；（基極B發(fā)射極E 集電極C）

　　d.場效應(yīng)晶體管（FET）（源區(qū)、漏區(qū)、柵區(qū)）

　　e.結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）：電子不穿過p-n 結(jié)，而是從兩個(gè)p 型半導(dǎo)體之間形成所謂的n-溝道從源極向漏極流動，n-溝道作為晶體管的輸出部分，而柵到源的p-n 結(jié)是輸入部分；

　　f.金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），它是以JFET 晶體管同樣的原理進(jìn)行工作的，但使用施加在內(nèi)建電容器兩端的輸入電壓來控制源極到漏極的電子流動

　　g.互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管：當(dāng)兩個(gè)MOSFET 晶體管（一個(gè)是n-p-n 型，另一個(gè)是p-n-p 型）連接在一起時(shí)，這種組合結(jié)構(gòu)叫做互補(bǔ)型MOSFET 或互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（CMOSFET），其優(yōu)點(diǎn)是使電路簡化（不需要負(fù)載電阻）、很低的功率耗散以及產(chǎn)生一個(gè)與輸入信號反向的輸出信號的能力；

　　4、集成電路基礎(chǔ)：

　　一個(gè)集成電路（IC）芯片是把元器件連在一起的集合體，在一個(gè)單片半導(dǎo)體材料上制造出一個(gè)完整的電子電路。第一塊IC 的構(gòu)思和建造應(yīng)該歸功于于Texas Instruments 公司的Jcak Kilby 在1958年的工作。每門的功率與特征尺寸呈線性變化，而每個(gè)芯片的功耗P 卻主要受到與特征尺寸二次方成反比的影響，如下式所示： P=f（頻率，C，V2，門數(shù)），其中頻率為時(shí)鐘頻率、 C 為電容、V為電壓、門數(shù)為芯片面積/特征尺寸的平方；

　　5、集成電路芯片制造：

　　a.晶錠的生長與晶圓片的制備：硅的熔點(diǎn)1415℃，切克勞斯基（Czochralski CZ）法是最常用的生長硅錠的方法，晶錠的形狀包括在籽晶端形成的一個(gè)很細(xì)的圓形縮頸（直徑約3.0mm），然后是大的圓柱體和帶有一個(gè)鈍尾的端部，晶錠的長度和直徑取決于軸的旋轉(zhuǎn)、籽晶的提拉速度、硅熔體的純度與溫度等，晶錠的尺寸有多種多樣，直徑從3in（75mm）到12in（300mm），最長的長度約為79in（2m），晶錠的生長速率約為2.5~3.0in/h（63.5~76.2mm/h）。然后將硅晶錠切成晶圓片并進(jìn)行磨邊、拋光、打標(biāo)等處理；

　　b.潔凈度：凈化間是按照1ft3（0.0283m3）空氣中允許有多少直徑在0.5um 的顆粒物來分級的，一般可分為1 級~100000 級，例如1000 級凈化間是在1ft3 空氣中有1000 個(gè)尺寸為0.5um 的顆粒物，對于IC 制造來說，凈化間的范圍在1 級~1000 級，主要取決于工藝的需要；

　　c.集成電路制造：

　　氧化→光刻→擴(kuò)散→外延→金屬化→鈍化→背面研磨→背面金屬化→電性能測試→管芯分割（詳細(xì)情況可參看《芯片制造工藝制程實(shí)用教程》內(nèi)相關(guān)筆記）