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鎵（Ga） 是一種化學元素，原子序數為31。鎵在自然界中不存在游離態，而是鋅和鋁生產過程中的副產品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。纖鋅礦晶體結構（如下圖所示）呈六方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。
GaN 晶體結構
在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1，100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅［SiC］，電源電子應用中為硅［Si］）上通過金屬有機物化學氣相淀積（MOCVD） 或分子束外延（MBE） 技術而制成。 GaN-on-SiC 方法結合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高功率密度射頻應用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直徑可達6 英寸。 GaN-on-Si 合并的熱學性能則低得多，并且具有較高的射頻損耗，但成本也低很多。這就是GaN-on-Si 成為價格敏感型電源電子應用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-Si 基板的直徑可達12 英寸。
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