按理說，場(chǎng)管不是教材的重點(diǎn)，但目前實(shí)際中應(yīng)用最廣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過雙極型晶體管（BJT）。場(chǎng)效應(yīng)管，包括最常見的 MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。運(yùn)放在今天的應(yīng)用，也是如火如荼。比較器、ADC、DAC、電源、儀表、等等離不開運(yùn)放。 1、場(chǎng)效應(yīng)管是只有一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有 N 溝道和 P 溝道兩種器件。有結(jié)型場(chǎng)管和絕緣柵型場(chǎng)管 IGFET 之分。IGFET 又稱金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體管 MOSFET。MOS 場(chǎng)效應(yīng)管有增強(qiáng)型 EMOS 和耗盡型 DMOS 兩大類，每一類有 N 溝道和 P 溝道兩種導(dǎo)電類型。學(xué)習(xí)時(shí)，可將 MOSFET 和 BJT 比較，就很容易掌握，功率 MOSFET 是一種高輸入阻抗、電壓控制型器件，BJT 則是一種低阻抗、電流控制型器件。再比較二者的驅(qū)動(dòng)電路，功率 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單。BJT 可能需要多達(dá) 20% 的額定集電極電流以保證飽和度，而 MOSFET 需要的驅(qū)動(dòng)電流則小得多，而且通常可以直接由 CMOS 或者集電極開路 TTL 驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)。其次，MOSFET 的開關(guān)速度比較迅速，MOSFET 是一種多數(shù)載流子器件，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆]有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。其三，MOSFET 沒有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低。它們還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。此外，MOSFET 具有并行工作能力，具有正的電阻溫度系數(shù)。溫度較高的器件往往把電流導(dǎo)向其它 MOSFET，允許并行電路配置。而且，MOSFET 的漏極和源極之間形成的寄生二極管可以充當(dāng)箝位二極管，在電感性負(fù)載開關(guān)中特別有用。場(chǎng)管有兩種工作模式，即開關(guān)模式或線性模式。所謂開關(guān)模式，就是器件充當(dāng)一個(gè)簡(jiǎn)單的開關(guān)，在開與關(guān)兩個(gè)狀態(tài)之間切換。線性工作模式是指器件工作在某個(gè)特性曲線中的線性部分，但也未必如此。此處的“線性”是指 MOSFET 保持連續(xù)性的工作狀態(tài)，此時(shí)漏電流是所施加在柵極和源極之間電壓的函數(shù)。它的線性工作模式與開關(guān)工作模式之間的區(qū)別是，在開關(guān)電路中，MOSFET 的漏電流是由外部元件確定的，而在線性電路設(shè)計(jì)中卻并非如此。