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在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對(duì)寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個(gè)600V GaN功率級(jí)樣品時(shí)，我驚嘆于該產(chǎn)品的可靠性和其自我保護(hù)功能的有效性。即使功率級(jí)已經(jīng)通過嚴(yán)格的測(cè)試驗(yàn)證，我以前的硅器件經(jīng)驗(yàn)讓我對(duì)其在實(shí)際使用中的可靠性也感到好奇。更重要的是，這些功能會(huì)改變電路原型和調(diào)試的傳統(tǒng)智慧嗎？
在最近的交錯(cuò)式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，我使用了兩個(gè)具有一些基本直流總線設(shè)計(jì)的TI半橋LMG3410-HB-EVM評(píng)估模塊（EVM），由UCD3138數(shù)字脈寬調(diào)制（PWM）控制器控制。當(dāng)兩個(gè)交錯(cuò)的半橋結(jié)合在一起時(shí)，我看到PWM信號(hào)反復(fù)受到高dv/dt（100V /ns…
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