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發(fā)視頻用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
2022-11-02 |
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資料介紹
導(dǎo)讀：
將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能
簡(jiǎn)介
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而在保持合理開關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。
傳統(tǒng)上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，這是因?yàn)镚aN器件和驅(qū)動(dòng)器基于不同的處理技術(shù)…
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