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介紹介紹靜電放電 (ESD) 事件向集成電路 (IC) 發送具有潛在破壞性的能量脈沖。設計良好的 IC 具有保護電路來處理在將 IC 組裝到應用電路時可能發生的 ESD。IC 還必須處理組裝后穿透靜電屏蔽進入最終電路的 ESD 能量。除了機械屏蔽外，電源去耦電容器還可以幫助處理 ESD；但是，電容器選擇不當會使 IC 更易損壞。為正確保護集成電路免受未屏蔽 ESD 的影響，應考慮以下問題。靜電放電 (ESD) 事件向集成電路 (IC) 發送具有潛在破壞性的能量脈沖。設計良好的 IC 具有保護電路來處理在將 IC 組裝到應用電路時可能發生的 ESD。IC 還必須處理組裝后穿透靜電屏蔽進入最終電路的 ESD 能量。除了機械屏蔽外，電源去耦電容器還可以幫助處理 ESD；但是，電容器選擇不當會使 IC 更易損壞。為正確保護集成電路免受未屏蔽 ESD 的影響，應考慮以下問題。將 ESD 轉移到 IC 的交付模型將 ESD 轉移到 IC 的交付模型IC內部的ESD保護IC內部的ESD保護應用電路與 IC 內部 ESD 保護之間的相互作用應用電路與 IC 內部 ESD 保護之間的相互作用修改應用電路，提高IC的ESD防護能力修改應用電路，提高IC的ESD防護能力ESD 交付模型ESD 交付模型靜電放電水平用電壓來描述。該電壓由存儲在電容器上的電荷轉移到 IC 產生。IC 上的電壓和電流應力是由 IC 和 ESD 源之間的阻抗關系產生的。ESD 測試儀是根據預期的電荷源建模的。靜電放電水平用電壓來描述。該電壓由存儲在電容器上的電荷轉移到 IC 產生。IC 上的電壓和電流應力是由 IC 和 ESD 源之間的阻抗關系產生的。ESD 測試儀是根據預期的電荷源建模的。ESD 測試通常使用兩種帶電物體模型（ESD 測試通常使用兩種帶電物體模型（圖 1圖 1）。人體模型 (HBM) 表示存儲在人體（100pF 電容器）上并通過皮膚（1.5kΩ 電阻器）放電的電荷。機器模型 (MM) 表示存儲在金屬物體上的電荷。MM 中的放電僅受互連電感限制。）。
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