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設(shè)備上所述的熱特性之間可能存在顯著差異數(shù)據(jù)表以及實(shí)際應(yīng)用程序中實(shí)際發(fā)生的情況。半導(dǎo)體制造商通常提供結(jié)到外殼（RθJC）和結(jié)到環(huán)境（RθJC）的熱阻值。盡管這些是用于估計(jì)設(shè)備功率處理能力的非常有用的參數(shù)，這些數(shù)字與現(xiàn)實(shí)之間仍然可能存在脫節(jié)。本說(shuō)明將說(shuō)明制造商數(shù)據(jù)表中提供的熱數(shù)據(jù)與實(shí)際數(shù)據(jù)的比較并將討論Diodes公司的相對(duì)熱性能PowerDI?公司5060包與類似的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包相比。熱阻和MOSFET封裝結(jié)-殼熱阻是MOSFET的固有特性，指的是器件封裝內(nèi)部的電阻。RθJC是由模具尺寸和封裝設(shè)計(jì)定義的固定值。這意味著RθJC只處理器件中耗散的功率。為此應(yīng)用注釋RθJC是指從結(jié)到暴露底部的熱阻襯墊另一方面，結(jié)對(duì)環(huán)境熱阻由所有熱阻組成涉及從模具到外部環(huán)境的熱流路徑，并且它更依賴于板的布局和散熱能力。例如，如果我們修改銅區(qū)域的大小其中熱量耗散RθJC預(yù)計(jì)會(huì)發(fā)生變化。下圖給出了視覺表示MOSFET內(nèi)部的熱阻網(wǎng)絡(luò)。
由于MOSFET產(chǎn)生的大部分熱量將通過(guò)PCB上的銅散熱片消散，因此散熱片面積越大，RθJC就越低。相反，如果面積減小，則會(huì)發(fā)生相反的情況。因此，RθJC是應(yīng)用中的主要熱阻。
由于MOSFET產(chǎn)生的大部分熱量將通過(guò)PCB上的銅散熱片消散，因此散熱片面積越大，RθJC就越低。相反，如果面積減小，則會(huì)發(fā)生相反的情況。因此，RθJC是應(yīng)用中的主要熱阻。
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