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發(fā)視頻ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器的高劑量率總電離劑量測(cè)試
2023-12-21 |
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資料介紹
本報(bào)告總結(jié)了ISL73041SEH的高劑量率(HDR)總電離劑量(TID)測(cè)試結(jié)果12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器。進(jìn)行該測(cè)試是為了評(píng)估的總劑量硬度并提供對(duì)偏置靈敏度的估計(jì)。零件在偏壓下或使用所有引腳進(jìn)行輻照以HDR(73rad(Si)/s)至150krad(Si)接地。所有輻照之后進(jìn)行168小時(shí)的偏置退火100oC。ISL73041SEH在低劑量率(LDR)下的額定功率為75krad(Si)，并在根據(jù)數(shù)據(jù)表的限制逐個(gè)晶片。ISL73041SEH不適用于HDR。
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