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PN602H集成超低待機功耗原邊控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、
適配器和內(nèi)置電源。PN602H為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗
（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標準，可調輸
出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節(jié)。該芯片提供
了極為全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環(huán)保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
應用領域
?
開關電源適配器
?
電池充電器
?
家電內(nèi)置電源
產(chǎn)品特征
?
內(nèi)置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
?
內(nèi)置高壓啟動電路，小于50mW空載損耗（230VAC）
?
采用多模式技術提高效率，滿足6級能效標準
?
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
?
原邊反饋可省光耦和TL431
?
恒壓、恒流、輸出線補償外部可調
?
無需額外補償電容
?
無音頻噪聲
?
智能保護功能
?
過溫保護 (OTP)
?
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
?
逐周期過流保護 (OCP)
?
CS開/短路保護 (CS O/SP）
?
開環(huán)保護 (OLP)
輸出特性
封裝/訂購信息
VDD
GND
SW
SW
DIP8
CS
FB
SW
SW
訂購代碼
封裝
典型功率
85~265VAC
PN602HSE-A1
SOP8
12W
PN602HNE-A1
DIP8
15W
注：最大輸出功率是在環(huán)境溫度 45°C 的密閉式應用情形
下測試。
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