如何實現低待機功耗？PN8275內置850V 高壓啟動及放電模塊，265Vac輕松實現50mW待機功耗！

如何提高轉換效率？PN8308H內置80V/10mΩ 智能功率MOSFET，115Vac/230Vac平均效率大于92%！

如何簡化EMC設計?PN8275內置X電容放電模塊，可通過增大X電容簡化傳導設計；PN8308H采用獨特電流跟蹤技術降低SR開關尖峰電壓，改善輻射3dB以上！

本期，Chipown技術團隊為大家介紹基于PN8275+PN8308H的12V3A六級能效方案，并分享應用設計要點。

封裝及腳位配置圖

PN8275是一款集成了高壓啟動的電流模式的開關電源芯片，結合多模式混合調制技術和X電容放電功能實現六級能效，并符合IEC 62368-1:2014標準要求(CB證書編號：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保護功能包括輸入市電欠壓保護、市電過壓保護、輸出過壓保護、OTP、OCP、次級整流管短路保護等。

PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8308H外圍精簡，采用獨特電流跟蹤技術，可在50ns內快速關斷，改善系統EMI特性，徹底避免直通損壞并降低SR開關尖峰電壓。

PN8275

PN8308H

DEMO實物圖

方案典型應用圖

方案特性

PCBA尺寸：39.0mm*86.0mm

輸入電壓：90~265Vac全電壓

輸出功率：36W(Typical)

平均效率：≥88.3%(滿足CoC V5 Tier2六級能效要求)

待機功耗：<50mW(Vin=265Vac)

輸入欠壓保護、輸入過壓保護、輸出過壓保護，輸出過流保護等

測試數據

1.能效測試

測試條件：Vin＝90～265Vac；

2.調整率測試

3.溫升測試

測試條件：環境溫度45℃；外殼密閉、無風環境測試；Vin＝90~265Vac，Io=3.0A。

（溫度數據：CH1 EC1電容；CH2 PN8275；CH3 10N65；CH4 初級漆包線；CH5 磁芯；CH6 三層絕緣線；CH7 PN8308H）

4.X電容放電測試

（放電時間0.1s左右@253Vac）

5.市電保護波形

測試條件：Io=3.0A

（市電欠壓保護72Vac）

（市電過壓保護325Vac）

EMC測試

EMI傳導、輻射滿足EN55022 Class B標準要求，裕量均大于6dB

ESD滿足IEC61000-4-2，8kV/15kV等級要求

EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級要求

Surge滿足IEC 61000-4-5:2005，4kV等級要求

交流絕緣滿足3.75kV要求

應用要點

1同步整流

PN8308H根據內部MOSFET的Vds電壓及Isd電流來開通和關斷SR，內部固化Tonmin和Toffmin來提高抗干擾性及精簡外圍；支持150kHz開關頻率工作。

SW與GND引腳建議增加RC吸收以減小CCM模式下Vds尖峰，VDD引腳建議增加RC低通濾波以增強系統的ESD能力。

2輸入電容Cbus選取

Cbus容量決定了變換器輸入電壓Vg的波動量，由能量守恒可知

在CCM模式下，Vg,min與最大占空比Dmax關系如下

由于PN8275內置斜率補償且允許Dmax>0.7，相比PSR產品(通常Dmax限定在0.5以內)，支持大匝比和小輸入電容設計。

3變壓器設計

第一步：在高壓輸入(Vg2=300V，fs=65kHz)&額定負載下設定變壓器n及Lp，使其反激變換器在臨界模式工作，第一谷底附近開通，且在Idlimit工作點變壓器不飽和。

第二步：在低壓輸入(Vg1=90V，fs=65kHz)&額定負載，計算Krp及Dmax，設定變壓器原副邊繞組線徑及圈數，電流密度合理且可繞制。

第三步：設定Vcc&屏蔽繞組，選擇繞線結構：供電8-40V之間， Y電容兩端干擾量2V以內。

4DMG參數設置

根據輸出OVP電壓，再設定R2

R3、R1設定OCP點線電壓補償量