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高壓GaN FETs已經(jīng)從理論和實(shí)驗(yàn)室研究中出現(xiàn)，并具有可從多個(gè)供應(yīng)商獲得的商業(yè)技術(shù)。與硅MOSFETs相比，GaN FETs在某些情況下具有誘人的優(yōu)勢(shì)，表現(xiàn)為柵極電荷需求極低、Ros oN和尺寸減小、Qoss降低、Coss線(xiàn)性度提高。由于沒(méi)有反向恢復(fù)效應(yīng)，GaN fet首次實(shí)現(xiàn)了許多硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洌绕涫前霕?a target='_blank' class='arckwlink_none'>轉(zhuǎn)換器和圖騰柱PFC。在LLC轉(zhuǎn)換器等軟開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)中，空載時(shí)間受非線(xiàn)性度的影響很大，GaN fet可以縮短空載時(shí)間，提高可預(yù)測(cè)性，降低均方根電流，并提高效率。終端設(shè)備設(shè)計(jì)師渴望使用GaN FETs實(shí)現(xiàn)更小的電源、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)溫度。
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