NextPower 80 V標(biāo)準(zhǔn)電平柵極驅(qū)動(dòng)MOSFET。符合 175 °C 標(biāo)準(zhǔn)，推薦用于 高功率工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。 2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) 低 Qrr 可實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的尖峰 400 安培內(nèi)徑（最大）連續(xù)額定電流 低QG×RDSon FOM，適用于高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用 • • • • 強(qiáng)雪崩能量等級(jí) （Eas） • 雪崩等級(jí)和 100% 測(cè)試 • 無(wú) Ha 且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的CCPAK1212封裝 3. 應(yīng)用 • 電池保護(hù) • 高功率全橋和半橋配置 • BLDC電機(jī)控制 • OR-ing 4. 快速參考數(shù)據(jù) 表 1.快速參考數(shù)據(jù) 象征 VDS系列 編號(hào) Ptot（英語(yǔ)：Ptot） Tj 靜態(tài)特性 RDSon的 漏源開(kāi)啟狀態(tài) 電阻 參數(shù) 漏源電壓 漏極電流 總功耗 Tmb = 25 °C;圖1 結(jié)溫 條件 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C VGS = 10 V;Tmb = 25 °C VGS = 10 V;內(nèi)徑 = 25 A;Tj = 25 °C VGS = 10 V;內(nèi)徑 = 25 A;Tj = 100 °C 內(nèi)徑 = 25 A;VDS = 40 V;VGS = 10 V; Tj=25°C;圖2 動(dòng)態(tài)特性 QGD型 QG（托特） Avalanche 堅(jiān)固耐用 EDS（鋁）S 柵極漏極電荷 總門費(fèi) 非重復(fù)性排水-