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基于溫度步進應力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應力下的退化規(guī)律及退化機理。實驗發(fā)現： 在結溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源電流隨退化時間逐漸減小; 而在結溫為 200 ～ 352 ℃時，漏源電流隨退化時間逐漸增大。分析表明： 結溫低于200 ℃時，AlGaN 施主原子的離化導致肖特基勢壘高度升高; 而在結溫高于 200 ℃ 時，表面氧雜質的擴散導致肖特基勢壘高度逐漸降低。通過計算肖特基勢壘高度，進一步定量的驗證勢壘高度的變化。而勢壘高度的變化又引起閾值電壓的漂移，進而影響漏源電流的變化。因此漏源電流的退化主要是由于勢壘高度的變化引起的。
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