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發(fā)視頻AlGaN和GaN HEMT在不同溫度下的退化規(guī)律及退化機(jī)理詳細(xì)說(shuō)明
2020-06-23 |
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資料介紹
基于溫度步進(jìn)應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機(jī)理。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時(shí)，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源電流隨退化時(shí)間逐漸減小; 而在結(jié)溫為 200 ～ 352 ℃時(shí)，漏源電流隨退化時(shí)間逐漸增大。分析表明： 結(jié)溫低于200 ℃時(shí)，AlGaN 施主原子的離化導(dǎo)致肖特基勢(shì)壘高度升高; 而在結(jié)溫高于 200 ℃ 時(shí)，表面氧雜質(zhì)的擴(kuò)散導(dǎo)致肖特基勢(shì)壘高度逐漸降低。通過(guò)計(jì)算肖特基勢(shì)壘高度，進(jìn)一步定量的驗(yàn)證勢(shì)壘高度的變化。而勢(shì)壘高度的變化又引起閾值電壓的漂移，進(jìn)而影響漏源電流的變化。因此漏源電流的退化主要是由于勢(shì)壘高度的變化引起的。
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