本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負漂移。該器件在強pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應力），然后測量傳輸特性。施加反向柵極偏置應力后的負閾值電壓漂移表明，與非應力條件相比，信道中存在更多的載流子。我們提出algan/gan界面態的存在是導致負閾值電壓漂移的原因，并發展了一種對algan/gan界面態進行電學表征的方法。通過技術計算機輔助設計（tcad）atlas仿真驗證了結果，并與實驗測量結果吻合良好。

　　阱態對algan/gan hemt器件的性能有重要影響。類施主表面態被認為是algan/gan界面二維電子氣形成的原因，即使沒有有意摻雜［1，2］，hemt結構中不同類型的陷阱也有許多缺點。射頻色散、柵極滯后、漏極滯后、扭結效應是陷阱的一些不利影響［3-5］，因此識別器件中陷阱的位置和類型及其對器件特性的影響非常重要。algan/gan hemt中的陷阱也會影響器件的閾值電壓［6］，閾值電壓的穩定性對hemt器件的可靠性和安全性有著重要的影響［7］，因此了解閾值電壓的漂移和導致閾值電壓漂移的陷阱是非常重要的。在mis-hemt中，絕緣體層和半導體的界面態是產生反向柵偏壓后閾值電壓漂移的原因［6–9］，據我們所知，目前還沒有關于algan/gan-hemt中反向柵偏壓引起閾值電壓負漂移及其關系的研究。algan/gan界面態。本文報道了在一定時間內施加反向柵偏壓后，閾值電壓向較高負電壓變化的實驗研究。這種閾值電壓的負漂移被認為是由于反向柵偏壓過程中電子從algan/gan界面態到溝道的去俘獲引起的。提出了一種從測量的電特性中提取algan/gan界面態密度及其特征時間常數的簡單方法。tcad-atlas模擬研究證實了這一假設，與實驗結果吻合較好。