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摘? 要?：隨著絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）技術(shù)的發(fā)展，目前主流的場(chǎng)截止型結(jié)構(gòu)越來越接近其理論極限。 超結(jié)被譽(yù)為“功率 MOS 的里程碑”，近年來也被引入 IGBT 以進(jìn)一步提升器件性能。超結(jié) IGBT 結(jié)合了場(chǎng)截止 型 IGBT 和超結(jié)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，可在更短漂移區(qū)長(zhǎng)度下實(shí)現(xiàn)高耐壓和低損耗。然而，作為一種雙極型器件，超結(jié) IGBT 具有與超結(jié) MOSFET 不同的工作原理。文章從超結(jié)原理出發(fā)，揭示了超結(jié) IGBT 的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和工作原理， 并對(duì)超結(jié) IGBT 的最新研究進(jìn)展進(jìn)行了梳理和概括。
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