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標簽 > 光刻機
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從光刻機出來后還要經歷曝光后的烘焙,簡稱后烘。這一步的目的是通過加熱讓光刻膠中的光化學反應充分完成,可以彌補曝光強度不足的問題。
光刻掩模版,別稱“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”,一般使用玻璃或者石英表面覆蓋帶有圖案的金屬圖形,實現對光線的遮擋或透過功能,是微電子光刻工...
6年以作者的認知我是認為不太可能達成,但就當他可能吧,6年后我們才能擁有28nm全打通的國產蝕刻設備,與網路上鋪天蓋地的蝕刻我們已能做到5nm是不是有如...
目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm,曝光速度30 mJ/cm2,每小時曝光160片晶圓,年產量為140萬片。
利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發生性質變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
是的!光刻機本身的原理,其實和相機非常相似,同學們可以把光刻機就想成是一臺巨大的單反相。機。相機的原理,是被攝物體被光線照射所反射的光線,透過相機的...
2022-11-21 標簽:光刻機 8015 0
EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術,簡單來說,就是以極紫外光作“刀”,對芯片上的晶圓進行雕刻,讓芯片上的電路變成人...
UCIe[4]是一種開放的行業標準互連,為異構芯片間提供了高帶寬、低延遲、高電源效率和高性價比的封裝內連接,以滿足整個計算系統的需求。
隨著光刻膠層變得更薄,整體光刻膠的特性變得不那么重要,并且光刻膠(暴露與否)與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。
摩爾定律 Intel創始人之一摩爾1964年提出,大約每隔12個月: 1)。芯片能力增加一倍、芯片價格降低- -倍; 2)。廣大用戶的福音、行業人...
EUV光刻技術出現新的挑戰:3nm節點的金屬間距約為22nm
22 nm 節距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級避免了遮擋可以安全使用,但填充的pupil不到 20%,這再次意味著額外的...
作為光刻工藝中最重要設備之一,光刻機一次次革命性的突破,使大模集成電路制造技術飛速向前發展。了解提高光刻機性能的關鍵技術以及了解下一代光刻技術的發展情況...
2020-08-28 標簽:光刻機 1.3萬 1
半導體設備位于整個半導體產業鏈的上游,在新建晶圓廠中半導體設備支出的占比普遍達到 80%。一條晶圓制造新建產線的資本支出占比如下:廠房 20%、晶圓制造...
光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車間中車床的作用。在整個芯片制造工藝中,幾乎每個工藝的實施,都離不開光刻的技術。光刻也是制造芯片的最關...
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