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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體器件
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igbt驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高過(guò)低的后果
IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件,由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...
2024-07-25 標(biāo)簽:發(fā)射極IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓 1621 0
在晶體管和MOSFET等器件中,整流柵的控制電壓可以控制電流通過(guò)器件的方向。當(dāng)整流柵施加正向電壓時(shí),它將通導(dǎo),讓電流從源極流向漏極,實(shí)現(xiàn)正向電流的導(dǎo)通。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT電力電子驅(qū)動(dòng)電壓 1358 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,IGBT模塊在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量...
基于仿真工具對(duì)100VN TrenchMOSFET器件設(shè)計(jì)研究
溝槽(Trench)MOSFET 是一種新型垂直結(jié)構(gòu)的 MOSFET 器件,是從傳統(tǒng)平面 MOSFET 結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上優(yōu)化發(fā)展而來(lái),Trench MOSFE...
2022-10-08 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MOSFET器件功率半導(dǎo)體器件 1279 0
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 1271 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)...
使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 732 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中,IGBT具有許多重要作用,以下是對(duì)這些作用的分析: 高效率:IG...
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-13 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)功率器件功率半導(dǎo)體器件 378 0
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