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標簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進行轉(zhuǎn)換，對電路進行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，均具有處理高電壓，大電流的能力。
2023-02-03 標簽：大電流IGBT功率半導(dǎo)體 3985 0
功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，在使用高電壓、大電流時也不會損壞。另外，由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫，因而成為...
2023-02-03 標簽：半導(dǎo)體大電流功率半導(dǎo)體 1980 0
功率半導(dǎo)體用于電力電子領(lǐng)域。使用固態(tài)設(shè)備，電力電子控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的電力。這些包括汽車、手機、電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機。 常常有人將功...
2023-02-02 標簽：逆變器功率半導(dǎo)體功率IC 3316 0
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些
功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計算機、通信、消費電子、新能源、汽車...
硅錠生長是一個將多晶硅制成單晶硅的工序，將多晶硅加熱成液體后，精密控制熱環(huán)境，成長為高品質(zhì)的單晶。
2023-02-01 標簽：硅片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 9354 0
MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起，在如今電力電子功率器件中，無疑成為了最重要...
2022-11-30 標簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1037 0
離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。
2022-11-30 標簽：制造功率半導(dǎo)體碳化硅 2726 0
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細分領(lǐng)域機遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域，舜宇光學(xué)（02382.HK）龍頭地位穩(wěn)固，其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一，2020年市占率32%，與第二名份額拉開較大差距。
本文基于仿真和實驗方法，開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設(shè)計研究工作。通過溝槽深度，體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏，獲得了對擊穿電壓，閾值電壓...
2022-10-08 標簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 1.1萬 0
汽車功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的號角吹響 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體未來可期
在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機、電控、功率半導(dǎo)體、視頻傳感器、激光雷達、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。
2022-09-05 標簽：新能源汽車功率器件功率半導(dǎo)體 985 0
驗證功率半導(dǎo)體設(shè)計的CV測量挑戰(zhàn)
對于寬帶隙功率半導(dǎo)體器件越來越重要，高壓電容-電壓 (CV) 測量可用于預(yù)測關(guān)鍵動態(tài)特性
2022-08-29 標簽：CV功率半導(dǎo)體電容容量 3585 0
功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導(dǎo)體的一種，作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，高...
2022-08-08 標簽：cpu功率半導(dǎo)體 2420 0
IGBT行業(yè)需求增長： IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域，主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展，我國能源需求大...
2022-08-08 標簽：IGBT功率半導(dǎo)體 1200 0
1940年貝爾實驗室在研究雷達探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標志著電力電子技...
我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過...
2022-07-08 標簽：二極管MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4萬 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說：“IGBT 的一個主要缺點是其開關(guān)頻率相對較低，因...
2022-06-15 標簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬 0
SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因
開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計時直...
2022-06-02 標簽：變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動電壓 3573 0
功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來
全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學(xué)家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一...
2022-04-22 標簽：安森美半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體能源網(wǎng)絡(luò) 7070 0
對于幾乎任何電子或電氣系統(tǒng)的設(shè)計，最大限度地提高電源效率非常重要。在移動設(shè)備中，更好的電源效率可提供更長的電池壽命，這是一個關(guān)鍵賣點。對于基本上任何應(yīng)用...
2022-04-20 標簽：SBR功率半導(dǎo)體 3618 0
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