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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-06-15 標(biāo)簽:功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1019 0
2023-06-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1084 0
功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機(jī)控制器的心臟。電機(jī)控制器、電機(jī)和減速器一起組 成電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)總成。
2023-06-09 標(biāo)簽:電力電子器件功率開關(guān)電機(jī)控制器 4297 0
作為一款專門針對電子器件/設(shè)備熱設(shè)計(jì)而開發(fā)的仿真軟件,F(xiàn)loTHERM可以實(shí)現(xiàn)從元器件級、PCB板和模塊級、系統(tǒng)整機(jī)級到環(huán)境級的熱分析。FloTHERM...
2023-06-09 標(biāo)簽:CAD仿真軟件功率半導(dǎo)體 1380 0
B1506A功率器件分析儀在車規(guī)級大功率半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
“降價(jià)了降價(jià)了!!!某某汽車又降價(jià)了,最近的汽車交易市場價(jià)格戰(zhàn)打的火熱啊,趕緊抓住機(jī)會(huì),搞一輛新車,到底是買傳統(tǒng)車還是新能源呢?別急,我們講一下新能源新在哪里。
比亞迪驅(qū)動(dòng)復(fù)用升壓充電原理基礎(chǔ)
比亞迪e3.0發(fā)布的時(shí)候提到了“驅(qū)動(dòng)復(fù)用,升壓充電”,也就是用電驅(qū)動(dòng)替代傳統(tǒng)DC-DC電路,實(shí)現(xiàn)500V充電樁直接給800V電池充電。
近年來,功率半導(dǎo)體用戶深刻地意識到不確定的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來挑戰(zhàn)相當(dāng)棘手。因此,在設(shè)計(jì)變頻器時(shí),"多元采購 "一直是用戶的需求。賽米控...
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來,新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智...
2023-05-26 標(biāo)簽:分立器件SiC功率半導(dǎo)體 1229 0
作為電子系統(tǒng)中的最基本單元,半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著...
公開資料顯示,功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 484 0
由三個(gè)端子組成的器件,可通過控制三端的電流或電壓實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷,包括雙極型(BJT)、場效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1921 0
大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展
功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展,器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限,因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視,尤其是以碳化硅(Si...
2023-05-09 標(biāo)簽:晶閘管IGBT功率半導(dǎo)體 4506 0
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MO...
2023-05-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 6323 0
陶瓷覆銅板是在高溫,流動(dòng)氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴(kuò)散過程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)合材料,既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度...
陶瓷覆基板是影響模塊長期使用的關(guān)鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
2023-04-17 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體熱導(dǎo)率 1423 0
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-04-14 標(biāo)簽:pcb驅(qū)動(dòng)電路功率模塊 1270 0
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
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