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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

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2023-11-23 標(biāo)簽:汽車電池功率器件 581 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

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不間斷電源(UPS)是一種將蓄電池與主機(jī)相連接,將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備,主要是為了在市電故障時(shí)能夠?yàn)橛?jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

2023-11-20 標(biāo)簽:蓄電池不間斷電源MOS 960 0

南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運(yùn)行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...

2023-11-15 標(biāo)簽:MOS功率器件氮化鎵 511 0

退飽和電路的短路保護(hù)方式

退飽和電路的短路保護(hù)方式

退飽和電路主要作用是對(duì)功率器件進(jìn)行短路保護(hù),那么短路保護(hù)的方式有幾種。

2023-11-14 標(biāo)簽:adc恒流源功率器件 3829 0

一文解析氮化嫁技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

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氮化鎵材料定義:氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...

2023-11-14 標(biāo)簽:新能源汽車射頻功率器件 913 0

功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)

功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)

MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計(jì)一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢

2023-11-14 標(biāo)簽:二極管MOSFETIGBT 3653 0

功率器件的熱網(wǎng)絡(luò)模型簡(jiǎn)析

功率器件的熱網(wǎng)絡(luò)模型簡(jiǎn)析

大功率電子器件應(yīng)用范圍十分廣泛,散熱會(huì)影響其可靠性,因此需要模擬元件在各種工作狀態(tài)下的隨時(shí)間變化的溫度曲線。本文將簡(jiǎn)單介紹一種能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)并預(yù)測(cè)結(jié)溫的熱...

2023-11-13 標(biāo)簽:電感功率器件傳輸線 2358 0

PCB中晶振時(shí)鐘設(shè)計(jì)原理圖

PCB中晶振時(shí)鐘設(shè)計(jì)原理圖

布局、布線總結(jié): 濾波電容靠近電源管腳,遵循先大后小原則擺放,小電容靠得最近; 匹配電阻靠近晶振擺放;如果原理圖中沒有這個(gè)電阻,可建議加上;...

2023-11-13 標(biāo)簽:原理圖pcb晶振 1401 0

什么是半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體器件的分類 功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理

什么是半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體器件的分類 功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理

電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件,在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運(yùn)用,主要是作為開關(guān)和放大器來(lái)使用。它出現(xiàn)在社會(huì)生活中的各個(gè)方面,如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境...

2023-11-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS功率器件 9634 0

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅( Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性,其中禁帶寬度 (2.3~3.3eV)約是Si 的3倍,擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(0.8×10...

2023-11-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 871 0

常用功率半導(dǎo)體器件知識(shí)匯總總結(jié)

常用功率半導(dǎo)體器件知識(shí)匯總總結(jié)

晶閘管(SCR)自問世以來(lái),其功率容量提高了近3000倍。現(xiàn)在許多國(guó)家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV ...

2023-11-09 標(biāo)簽:晶閘管MOS功率器件 1027 0

碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析

碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn),因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件,尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率模塊 4184 0

芯片小白必讀中國(guó)“功率器件半導(dǎo)體”

芯片小白必讀中國(guó)“功率器件半導(dǎo)體”

放眼一條完整的從電能產(chǎn)生到電能最終被用電終端應(yīng)用的電力傳輸鏈時(shí),功率半導(dǎo)體則更類似于一名“廚師”的角色。它負(fù)責(zé)將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的粗電“...

2023-11-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體分立器件功率器件 915 0

固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識(shí)

固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識(shí)

固態(tài)繼電器(SSR)是由微電子電路、分立電子器件和電力電子功率器件組成的非接觸式開關(guān)。隔離裝置用于實(shí)現(xiàn)控制端與負(fù)載端之間的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端使用微...

2023-11-06 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體固態(tài)繼電器 3037 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 1.3萬(wàn) 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)二極管和三極管

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)二極管和三極管

二極管:將PN結(jié)用外殼封裝起來(lái),并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管(P區(qū)引出的電極為陽(yáng)極,N區(qū)引出的極為陰極)。

2023-11-06 標(biāo)簽:三極管二極管PN結(jié) 8502 0

怎樣判斷溫度傳感器壞 溫度傳感器降溫和升溫方法

對(duì)于溫度傳感器的快速升溫和降溫,要避免超過傳感器的額定溫度范圍,以免損壞傳感器或影響測(cè)量的準(zhǔn)確性。此外,在選擇和應(yīng)用這些方法時(shí),應(yīng)根據(jù)具體傳感器的規(guī)格和...

2023-11-03 標(biāo)簽:傳感器溫度傳感器萬(wàn)用表 4975 0

印制板銅皮走線的注意事項(xiàng)

模塊電源行列也有部分產(chǎn)品采用多層板,主要便于集成變壓器電感等功率器件,優(yōu)化接線、功率管散熱等。具有工藝美觀一致性好,變壓器散熱好的優(yōu)點(diǎn),但其缺點(diǎn)是成本較...

2023-11-03 標(biāo)簽:功率器件模塊電源變壓器 665 0

瞻芯電子全新升級(jí)雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹

瞻芯電子全新升級(jí)雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹

近日,瞻芯電子推出了一款全新升級(jí)的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504,它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點(diǎn),并將拉灌電流峰值由4A...

2023-11-03 標(biāo)簽:CMOSMOSFET功率器件 1567 0

常見的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

2023-11-02 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 2516 0

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    米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下,米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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