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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
從 70 年代下半葉開(kāi)始,電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而,隨著...
成果展示:具有1.1 kV級(jí)高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管
為實(shí)現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件,天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺(tái),優(yōu)化設(shè)計(jì)了一種具有p-NiO...
四十年來(lái),隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步,電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而,在新千年中,隨著硅功率 MO...
用于汽車應(yīng)用的下一代高壓分立電源產(chǎn)品
電動(dòng)汽車的普及將功率半導(dǎo)體性能的界限推向了一個(gè)新的水平。硅功率器件傳統(tǒng)上用于控制汽車中的各種電力電子系統(tǒng),例如主逆變電機(jī)、泵、暖通空調(diào)壓縮機(jī)、制動(dòng)和轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。
2022-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件碳化硅技術(shù) 868 0
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)壽命和配置文件,設(shè)計(jì)人員在某些情況下可能會(huì)考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...
碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
光伏,電動(dòng)汽車,儲(chǔ)能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢(shì)。
2022-08-01 標(biāo)簽:功率器件碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2881 0
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4417 0
毫無(wú)疑問(wèn),所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過(guò)去五年中,汽車行業(yè)一直是該材料的公開(kāi)試驗(yàn)場(chǎng)。基于 SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來(lái)...
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對(duì)降低能耗和在高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...
可再生能源應(yīng)用以及各種能效技術(shù)需要可靠、緊湊和熱效率高的電源設(shè)備。為了推動(dòng)風(fēng)力渦輪機(jī)、智能電網(wǎng)、太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、太陽(yáng)能光伏和電動(dòng)汽車的創(chuàng)新,1需要具有高...
如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求
本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過(guò)程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...
PMIC 是小型電池供電設(shè)備的最佳選擇,因?yàn)樗鼈兛梢栽趩涡酒刑峁┩暾碾娫唇鉀Q方案,并包括電壓轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器、電池電量指示器、電池充電器和 LED 驅(qū)...
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)的壽命和概況,設(shè)計(jì)人員可能會(huì)考慮在某些情況下使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但 CO...
SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率
初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...
晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的,隨著設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步,越來(lái)越大容量化。到現(xiàn)在為止,,已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...
1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國(guó)通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...
GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
近年來(lái),半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時(shí)代的到來(lái),對(duì)射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...
在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類和大眾市場(chǎng)設(shè)計(jì)迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高,對(duì)熱應(yīng)力和電...
2022-06-23 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.2萬(wàn) 0
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