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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。

2022-08-12 標(biāo)簽:電機(jī)控制功率器件氮化鎵 2340 0

使用GaN設(shè)計(jì)高功率器件

使用GaN設(shè)計(jì)高功率器件

從 70 年代下半葉開(kāi)始,電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而,隨著...

2022-08-09 標(biāo)簽:晶體管功率器件GaN 1994 0

成果展示:具有1.1 kV級(jí)高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管

成果展示:具有1.1 kV級(jí)高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管

為實(shí)現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件,天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺(tái),優(yōu)化設(shè)計(jì)了一種具有p-NiO...

2022-08-04 標(biāo)簽:二極管功率器件GaN 1528 0

被GaN扼殺的硅、分立功率器件

被GaN扼殺的硅、分立功率器件

四十年來(lái),隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步,電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而,在新千年中,隨著硅功率 MO...

2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET功率器件GaN 965 0

用于汽車應(yīng)用的下一代高壓分立電源產(chǎn)品

用于汽車應(yīng)用的下一代高壓分立電源產(chǎn)品

電動(dòng)汽車的普及將功率半導(dǎo)體性能的界限推向了一個(gè)新的水平。硅功率器件傳統(tǒng)上用于控制汽車中的各種電力電子系統(tǒng),例如主逆變電機(jī)、泵、暖通空調(diào)壓縮機(jī)、制動(dòng)和轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。

2022-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件碳化硅技術(shù) 868 0

防輻射硅:仍然是空間電子學(xué)的標(biāo)桿

防輻射硅:仍然是空間電子學(xué)的標(biāo)桿

性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)壽命和配置文件,設(shè)計(jì)人員在某些情況下可能會(huì)考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...

2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET功率器件COTS 1727 0

碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

光伏,電動(dòng)汽車,儲(chǔ)能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢(shì)。

2022-08-01 標(biāo)簽:功率器件碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2881 0

IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱路模型

IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱路模型

功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...

2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4417 0

SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)與解決方案

SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)與解決方案

毫無(wú)疑問(wèn),所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過(guò)去五年中,汽車行業(yè)一直是該材料的公開(kāi)試驗(yàn)場(chǎng)。基于 SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來(lái)...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1368 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對(duì)降低能耗和在高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETJFET功率器件 2547 0

高壓功率器件封裝設(shè)計(jì)說(shuō)明

高壓功率器件封裝設(shè)計(jì)說(shuō)明

可再生能源應(yīng)用以及各種能效技術(shù)需要可靠、緊湊和熱效率高的電源設(shè)備。為了推動(dòng)風(fēng)力渦輪機(jī)、智能電網(wǎng)、太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、太陽(yáng)能光伏和電動(dòng)汽車的創(chuàng)新,1需要具有高...

2022-07-29 標(biāo)簽:封裝功率器件 1162 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下...

2022-07-29 標(biāo)簽:充電器功率器件SiC 1492 0

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過(guò)程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8761 0

用于可穿戴設(shè)備和汽車的功率器件方案

用于可穿戴設(shè)備和汽車的功率器件方案

PMIC 是小型電池供電設(shè)備的最佳選擇,因?yàn)樗鼈兛梢栽趩涡酒刑峁┩暾碾娫唇鉀Q方案,并包括電壓轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器、電池電量指示器、電池充電器和 LED 驅(qū)...

2022-07-26 標(biāo)簽:電源電源管理功率器件 1004 0

抗輻射硅:仍然是空間電子的基準(zhǔn)

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性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)的壽命和概況,設(shè)計(jì)人員可能會(huì)考慮在某些情況下使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但 CO...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件COTS 1446 0

SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率

SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率

初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 1190 0

簡(jiǎn)述晶閘管的工作原理

簡(jiǎn)述晶閘管的工作原理

晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的,隨著設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步,越來(lái)越大容量化。到現(xiàn)在為止,,已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...

2022-07-22 標(biāo)簽:晶閘管工作原理功率器件 1.3萬(wàn) 0

不常見(jiàn)的半導(dǎo)體功率器件有哪些

1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國(guó)通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...

2022-07-14 標(biāo)簽:二極管晶閘管功率器件 1482 0

GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

近年來(lái),半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時(shí)代的到來(lái),對(duì)射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...

2022-07-11 標(biāo)簽:集成電路功率器件GaN 3677 0

如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源的要求

在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類和大眾市場(chǎng)設(shè)計(jì)迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高,對(duì)熱應(yīng)力和電...

2022-06-23 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.2萬(wàn) 0

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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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