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標(biāo)簽 > 功率
功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功的多少,即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定,時(shí)間越短,功率值就越大。求功率的公式為功率=功/時(shí)間。功率表征作功快慢程度的物理量。單位時(shí)間內(nèi)所作的功稱為功率,用P表示。故功率等于作用力與物體受力點(diǎn)速度的標(biāo)量積。
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功率型封裝基板的多種應(yīng)用類型的對(duì)比和分析
以硅基材料作為封裝基板技術(shù),近幾年逐漸從半導(dǎo)體業(yè)界引進(jìn)到業(yè)界。硅基板的導(dǎo)熱性能與熱膨脹性能都表明了硅是較匹配的封裝材料。
功率限制放開(kāi)至80W!無(wú)線充電行業(yè)將迎來(lái)新一輪發(fā)展
功率限制放開(kāi)至80W!無(wú)線充電行業(yè)將迎來(lái)新一輪發(fā)展 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)工信部在5月30日印發(fā)了新的《無(wú)線充電(電力傳輸)設(shè)備無(wú)線電管理暫...
Vicor的轉(zhuǎn)換器級(jí)封裝技術(shù)介紹
Vicor 的轉(zhuǎn)換器級(jí)封裝(ChiP)技術(shù)簡(jiǎn)介倍提升 可擴(kuò)展功率元件封裝技術(shù)打破了性能和設(shè)計(jì)靈活性的新壁壘,實(shí)現(xiàn)了功率密度突破性的4被突破
2019-03-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器封裝功率 3888 0
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?(1)等效電路 (2)說(shuō)明: 功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變...
三星電機(jī)開(kāi)發(fā)新款超微型功率電感器,目前“世界上最小的電感器”
三星電機(jī)新開(kāi)發(fā)了一款超微型功率電感器,應(yīng)對(duì)當(dāng)前終端設(shè)備大電流、高功率、小型化的需求,三星電機(jī)稱該款產(chǎn)品是目前“世界上最小的電感器。”
ADI提供GaN IC產(chǎn)品,滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率范圍的全功率放大器。
回顧GaN Systems公司與羅姆聯(lián)手致力于GaN功率器件的普及的相關(guān)事件
“GaN功率器件正在迅速確立其在電力電子領(lǐng)域的地位。從我們的合作可以看出GaN在電力電子產(chǎn)品領(lǐng)域是多么重要。此次能夠與業(yè)界知名的技術(shù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)軍企業(yè)羅姆共筑...
功率因數(shù)基礎(chǔ)知識(shí)與功率因數(shù)變送器測(cè)試應(yīng)用
功率因數(shù)(PF :power factor)又稱功率因子,是交流電力系統(tǒng)中特有的物理量,是負(fù)載所消耗的有效功率與其視在功率的比值,即cosΦ=P/S,是...
金屬PCB也稱為絕緣金屬基板(IMS),可以被直接層壓到PCB中,形成具有FR-4基板和金屬芯的板子。其中采用了單層和雙層技術(shù),具有深度控制布線,借此就...
關(guān)于USB 3.1 Gen 2 Type-C線纜配置和PVC護(hù)套的性能分析和介紹
美國(guó)Infinite Electronics旗下品牌,有線和無(wú)線連接產(chǎn)品首選制造商L-com,近日宣布推出一系列用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、視頻傳輸和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用的U...
2019-10-14 標(biāo)簽:連接器數(shù)據(jù)傳輸功率 3715 0
捷氫科技PROME M3H電堆可實(shí)現(xiàn)燃料電池汽車的全功率驅(qū)動(dòng)
捷氫科技成立于2018年6月,是上汽集團(tuán)下屬高科技公司,目前已完成多款燃料電池電堆和系統(tǒng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā),功率涵蓋30kW~130kW以上,并廣泛應(yīng)用于乘用車...
2020-08-28 標(biāo)簽:動(dòng)力電池功率電池 3708 0
關(guān)于英飛凌OptiMOS實(shí)現(xiàn)這款90W車載充電器方案介紹
英飛凌革命性O(shè)ptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一,在導(dǎo)通電阻的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗(yàn)以滿足高性能的需求;加入增強(qiáng)模式,可根據(jù)不同...
因此在功率 mos 管中,電源在源極和漏極端子之間的柵極區(qū)域下方垂直流過(guò)多個(gè)并聯(lián)的n+源極,因此功率mos管在導(dǎo)通狀態(tài) RDS(ON) 提供的電阻遠(yuǎn)低于...
NRX吸收式射頻功率計(jì)主機(jī)的性能特點(diǎn)及適用范圍
羅德與施瓦茨公司新型射頻功率計(jì)NRX配備了觸摸屏,基于向?qū)偷牟僮骼砟钪笇?dǎo)用戶進(jìn)行測(cè)試。NRX可以配置多達(dá)四個(gè)測(cè)量通道,并提供多種功率探頭與之配合,第一...
金屬芯PCB的結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)要點(diǎn)及注意事項(xiàng)
金屬芯PCB設(shè)計(jì)(包括DFM)遵循許多與FR4上的典型PCB相同的基本設(shè)計(jì)規(guī)則。如果要在上述任何一個(gè)領(lǐng)域中設(shè)計(jì)新產(chǎn)品,則可能需要使用金屬芯板來(lái)控制溫度。...
關(guān)于基站170W電源方案的性能分析和應(yīng)用
隸屬于 800V CoolSET 的ICE3AR2280JG能提供良好的MOSFET電壓裕度,具有最低待機(jī)功耗,最大功率和突發(fā)功率下精確控制等優(yōu)點(diǎn),是低...
基于DDPAK的SMD解決方案允許在標(biāo)準(zhǔn)散熱概念的輸出功率水平上以大約低12°C的電路板溫度驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,從而延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命。
時(shí)控開(kāi)關(guān)最長(zhǎng)可以控制幾天
目前市場(chǎng)上新款的時(shí)控開(kāi)關(guān)為藍(lán)牙時(shí)控開(kāi)關(guān),在老式按鍵式開(kāi)關(guān)上基礎(chǔ)上升級(jí)來(lái)的,增加藍(lán)牙功能,去掉了按鍵,通過(guò)手機(jī)與開(kāi)關(guān)進(jìn)行藍(lán)牙連接,用小程序進(jìn)行控制,15米...
在dB,dBm計(jì)算中,要注意基本概念。比如前面說(shuō)的0dBw = 10lg1W = 10lg1000mw = 30dBm;又比如,用一個(gè)dBm 減另外一個(gè)...
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