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標(biāo)簽 > 華潤微
華潤微電子有限公司是華潤集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)微電子業(yè)務(wù)投資、發(fā)展和經(jīng)營管理的高科技企業(yè),始終以振興民族微電子產(chǎn)業(yè)為己任,曾先后整合華科電子、中國華晶、上華科技、中航微電子等中國半導(dǎo)體企業(yè)。
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型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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IPS620-30F | IPS620-30F - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS620-30B | IPS620-30B - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS616-25B | IPS616-25B - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS612-15B | IPS612-15B - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS612-05B | IPS612-05B - silicon controlled rectifiers - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS608-05I | IPS608-05I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS608-05D | IPS608-05D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS604-08I | IPS604-08I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS604-08D | IPS604-08D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS604-06D | IPS604-06D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS604-05I | IPS604-05I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS604-05D | IPS604-05D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS604-03I | IPS604-03I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS604-03D | IPS604-03D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS6008-08U | IPS6008-08U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS6008-06U | IPS6008-06U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS6008-05U | IPS6008-05U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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IPS6008-03U | IPS6008-03U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
獲取價格
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CS2N60FA9H | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):24W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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CS8N60FA9H | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):8A;功率(Pd):45W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,4A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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CS5N60A4H | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):5A;功率(Pd):85W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7Ω@10V,2.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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CS54123CS |
獲取價格
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CS4N80FA9HD | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):800V;連續(xù)漏極電流(Id):4A;功率(Pd):35W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):865pF@25V;反向傳輸電容(Crss@Vds):7.5pF@25V;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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CS4N65A8HD | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續(xù)漏極電流(Id):4A;功率(Pd):75W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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CS4N65A3HD1-G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續(xù)漏極電流(Id):4A;功率(Pd):75W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向傳輸電容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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CS2N65A4 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):35W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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CS120N08A8 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):85V;連續(xù)漏極電流(Id):120A;功率(Pd):208W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,60A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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3DD13007X1 | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):400V;集電極電流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集電極截止電流(Icbo):100uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@5A,1A;特征頻率(fT):10MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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CS4N60A8HD | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):4A;功率(Pd):75W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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CS2N60A3H | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):35W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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