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寬禁帶

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寬禁帶技術(shù)

氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

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氮氧化鎵(Gallium Oxynitride,GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵...

2025-05-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮氧化 561 0

寬禁帶技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

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目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力,而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比,寬禁帶技術(shù),如碳化硅(SiC)和氮化鎵( GaN)等仍是促進(jìn)功率...

2025-02-19 標(biāo)簽:電動汽車轉(zhuǎn)換器泰克科技 395 0

寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體封裝與測試解決方案

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隨著科技的不斷進(jìn)步,電子設(shè)備對性能和效率的要求日益提高,為了滿足這些需求,寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導(dǎo)體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(...

2024-08-14 標(biāo)簽:測試半導(dǎo)體寬禁帶 833 0

IGBT器件失效模式的影響分析

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功率循環(huán)加速老化試驗中,IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化,失效模式可能存在 多個影響因素,如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗條 件等。

2024-04-18 標(biāo)簽:IGBT晶體管寬禁帶 1702 0

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...

2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 2943 0

碳化硅器件封裝中的3個關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

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傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標(biāo)簽:pcb功率器件SiC 996 0

淺談伺服驅(qū)動技術(shù)未來開發(fā)趨勢

總體來看,伺服驅(qū)動系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是:體積減小,質(zhì)量減輕,并提升了最高轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)速;提高響應(yīng)性,縮短調(diào)整時間;提高了整定性能,使調(diào)諧趨于簡單便利;提高了擴(kuò)展...

2023-02-15 標(biāo)簽:伺服驅(qū)動寬禁帶 981 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件碳化硅寬禁帶 1367 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

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2023-02-03 標(biāo)簽:硅材料碳化硅寬禁帶 1191 0

碳化硅二極管優(yōu)勢有哪些?

碳化硅二極管的優(yōu)勢   1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性   寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC寬禁帶 802 0

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寬禁帶資訊

浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

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近年來,電力電子技術(shù)取得了重大進(jìn)展。從電動汽車到可再生能源系統(tǒng),逆變器在直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)上,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等...

2025-04-25 標(biāo)簽:逆變器功率器件寬禁帶 298 0

半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從硅基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影,更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體,每一代材料的...

2025-04-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料寬禁帶 494 0

全天直播即將開啟丨英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇 四大亮點(diǎn)搶先看

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寬禁帶(WBG)解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸,它們是實現(xiàn)可持續(xù)設(shè)計的關(guān)鍵。英飛凌的WBG產(chǎn)品組合表現(xiàn)如何?能為開發(fā)...

2025-03-06 標(biāo)簽:英飛凌寬禁帶 361 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域:...

2024-11-29 標(biāo)簽:電動汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 4881 0

聞泰科技與KOSTAL建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

近日,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)宣布與全球知名汽車供應(yīng)商KOSTAL(科世達(dá))正式建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作旨在共同開發(fā)和生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的車規(guī)級...

2024-11-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體寬禁帶聞泰科技 866 0

2024英飛凌寬禁帶論壇倒計時丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相

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英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品,偕同英飛凌智能家居方...

2024-07-04 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET寬禁帶 751 0

2024英飛凌寬禁帶論壇開幕在即:行業(yè)精英齊聚,共話前沿技術(shù)

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7月9日,英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果,與行業(yè)伙伴一道深入...

2024-06-28 標(biāo)簽:英飛凌慕尼黑寬禁帶 1059 0

英飛凌電子書發(fā)布 | 氮化鎵2024年預(yù)測與展望

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目前,我們正處于能源轉(zhuǎn)型期,亟需采取行動以應(yīng)對全球變暖,確保未來的美好生活。為實現(xiàn)這個目標(biāo), 我們需要重新思考發(fā)電、輸電、電力儲能和用電的方式。能源、經(jīng)...

2024-04-26 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵寬禁帶 534 0

光谷誕生全球集成度最高光電芯片

丁琪超重點(diǎn)介紹了實驗室的6個技術(shù)能力體系。如實驗室核心技術(shù)方向之一的“異質(zhì)集成”,能通過8英寸硅集成不同化合物半導(dǎo)體材料,發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢特性,集成相關(guān)芯片。

2024-04-11 標(biāo)簽:MOSFET無源器件碳化硅 1009 0

意法半導(dǎo)體寬禁帶研討會圓滿舉行

近日,全球?qū)捊麕ьI(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體(ST)在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會,受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。

2024-03-28 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體寬禁帶 848 0

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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