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標(biāo)簽 > 寬禁帶
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氮氧化鎵(Gallium Oxynitride,GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵...
目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力,而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比,寬禁帶技術(shù),如碳化硅(SiC)和氮化鎵( GaN)等仍是促進(jìn)功率...
2025-02-19 標(biāo)簽:電動汽車轉(zhuǎn)換器泰克科技 395 0
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...
2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 2943 0
碳化硅器件封裝中的3個關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么
傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...
總體來看,伺服驅(qū)動系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是:體積減小,質(zhì)量減輕,并提升了最高轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)速;提高響應(yīng)性,縮短調(diào)整時間;提高了整定性能,使調(diào)諧趨于簡單便利;提高了擴(kuò)展...
氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
碳化硅二極管的優(yōu)勢 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
近年來,電力電子技術(shù)取得了重大進(jìn)展。從電動汽車到可再生能源系統(tǒng),逆變器在直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)上,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等...
半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從硅基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影,更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體,每一代材料的...
2025-04-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料寬禁帶 494 0
全天直播即將開啟丨英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇 四大亮點(diǎn)搶先看
寬禁帶(WBG)解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸,它們是實現(xiàn)可持續(xù)設(shè)計的關(guān)鍵。英飛凌的WBG產(chǎn)品組合表現(xiàn)如何?能為開發(fā)...
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域:...
2024-11-29 標(biāo)簽:電動汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 4881 0
聞泰科技與KOSTAL建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
近日,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)宣布與全球知名汽車供應(yīng)商KOSTAL(科世達(dá))正式建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作旨在共同開發(fā)和生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的車規(guī)級...
2024英飛凌寬禁帶論壇倒計時丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相
英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品,偕同英飛凌智能家居方...
2024英飛凌寬禁帶論壇開幕在即:行業(yè)精英齊聚,共話前沿技術(shù)
7月9日,英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果,與行業(yè)伙伴一道深入...
英飛凌電子書發(fā)布 | 氮化鎵2024年預(yù)測與展望
目前,我們正處于能源轉(zhuǎn)型期,亟需采取行動以應(yīng)對全球變暖,確保未來的美好生活。為實現(xiàn)這個目標(biāo), 我們需要重新思考發(fā)電、輸電、電力儲能和用電的方式。能源、經(jīng)...
丁琪超重點(diǎn)介紹了實驗室的6個技術(shù)能力體系。如實驗室核心技術(shù)方向之一的“異質(zhì)集成”,能通過8英寸硅集成不同化合物半導(dǎo)體材料,發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢特性,集成相關(guān)芯片。
近日,全球?qū)捊麕ьI(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體(ST)在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會,受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體寬禁帶 848 0
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