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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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共集電極放大電路的基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)
共集電極放大電路,也被稱為射極輸出器或射極跟隨器,它特別適合作為緩沖器使用,有效地協(xié)調(diào)不同電子組件之間的信號(hào)傳遞。本文將詳細(xì)探討其基本結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)。 共集...
一種二維材料半導(dǎo)體晶體管多柵結(jié)構(gòu)
背柵控制隨著納米線直徑的增加而逐漸減小;(c)器件具有大開態(tài)電流和小的SS。
硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟,可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片,而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底(便宜但較大的晶...
用于OFF晶體管的時(shí)間差。toff比用于ON的時(shí)間ton要長,而且根據(jù)驅(qū)動(dòng)基極的條件變化很大,這在高速開關(guān)電路中必需注意。
2023-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電路晶體管開關(guān)二極管 1670 0
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對(duì)器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
繼電器輸出型接交流負(fù)載,也可接直流負(fù)載,而且可不分極性。內(nèi)部屬于干接點(diǎn),外部需接上相應(yīng)的電源,負(fù)載方可動(dòng)作。繼電器輸出型較晶體管,負(fù)載功率稍大些。但響應(yīng)...
芯片可用于監(jiān)測和控制通風(fēng)風(fēng)扇。不太常見的是用于電信應(yīng)用的風(fēng)扇控制器,它們必須在電源電壓在 36V 至 72V 范圍內(nèi)的電氣隔離環(huán)境中運(yùn)行。例如,MAX6...
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
我們之前已經(jīng)了解過晶體管,并且知道了工作點(diǎn)的重要性,對(duì)于晶振來說,這個(gè)工作點(diǎn)的穩(wěn)定性需要更高的考慮。 使用的有源器件的操作被調(diào)整到其特性的...
最近看到一些朋友都在玩各種電機(jī),對(duì)于電機(jī)重要的就是控制了,控制得穩(wěn)、準(zhǔn)、快是一名控制算法軟件工程師的終極目標(biāo),首先可以玩一些比較成熟的控制算法來體驗(yàn)一下...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)溫度過高會(huì)引發(fā)一系列故障,這些故障不僅影響MOS管本身的性能,還可能對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)造成損害。以下是對(duì)MOS管溫度...
微波信號(hào)發(fā)生器的技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域
在現(xiàn)代電子通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信及航天航空等領(lǐng)域,微波信號(hào)發(fā)生器作為一種關(guān)鍵的測試與測量設(shè)備,其重要性不言而喻。本文旨在全面介紹微波信號(hào)發(fā)生器的基本概念、...
功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件,其開通和關(guān)斷過程原理對(duì)于理解其工作特性、設(shè)計(jì)高效電路以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定性...
晶體管設(shè)計(jì)施密特觸發(fā)器工作原理、實(shí)例
本文展示了如何使用晶體管設(shè)計(jì)施密特觸發(fā)器,如何改進(jìn)基本設(shè)計(jì),以及為什么有時(shí)它可能是最好的方法。
2022-10-31 標(biāo)簽:比較器晶體管施密特觸發(fā)器 1659 0
帶電粒子和伽馬射線會(huì)產(chǎn)生電離,從而改變設(shè)備的參數(shù)。這些變化是根據(jù)總電離劑量參數(shù) (TID) 估算的。吸收的電離劑量通常以 Rads 為單位測量,即每克材...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體晶體管 1653 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...
一種新型的鍺化硅(SiGe)干式選擇性各向同性原子層蝕刻技術(shù)
納米線(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個(gè)極好的平臺(tái), 從而研究如何使納米線的表面功能化,由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性,導(dǎo)致我們需要考慮如何使納...
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