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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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光電耦合元件(光耦)是一種通過光信號(hào)實(shí)現(xiàn)電氣隔離與信號(hào)傳輸?shù)闹匾骷瑥V泛應(yīng)用于各種電子電路中。隨著半導(dǎo)體技術(shù)和光電子學(xué)的快速發(fā)展,光耦的種類和性能不斷...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子裝置中的核心器件,其性能的穩(wěn)定性和可靠性對(duì)...
柵極驅(qū)動(dòng)器的定義和結(jié)構(gòu)
柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件,主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信...
2025-02-02 標(biāo)簽:MOSFET晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 117 0
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不...
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦:功率轉(zhuǎn)換的控制樞紐
IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當(dāng)今的電力電子技術(shù)中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能,在變頻器、電動(dòng)汽車、...
2024-12-26 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換IGBT光耦 326 0
前段時(shí)間針對(duì)開關(guān)電源前級(jí)電路(防雷、EMI、整流 、濾波)都有做一些相對(duì)較詳細(xì)的整理,講解,相信粉絲朋友有很多收獲。
2024-12-23 標(biāo)簽:開關(guān)電源PWM功率 479 0
隨著新材料和新技術(shù)的不斷發(fā)展,金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)和柔性石墨烯MOS(GrapheneMOS)作為兩種重要的半導(dǎo)體材料,在電子設(shè)備和器件的應(yīng)用中越...
利用安森美Treo平臺(tái)優(yōu)化高速邏輯電平轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
在當(dāng)今技術(shù)驅(qū)動(dòng)的時(shí)代,電子設(shè)備的互操作性至關(guān)重要。從汽車 ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng))到數(shù)據(jù)中心和工業(yè)自動(dòng)化,現(xiàn)代電子電路必須能夠支持各種組件之間的高速通信。
2024-12-16 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器安森美 385 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V產(chǎn)品介紹
國產(chǎn)MOS管新產(chǎn)品推介:FHP230N06V型號(hào),在應(yīng)用端可以用于高頻逆變器、工頻逆變器、戶外儲(chǔ)能電源、電機(jī)控制器、UPS不間斷電源、高頻開關(guān)電源等產(chǎn)品電路中。
2024-12-09 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管逆變器 418 0
選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn),尤其是全環(huán)繞柵極(Gat...
短溝道二維晶體管中的摻雜誘導(dǎo)輔助隧穿效應(yīng)
短溝道效應(yīng)嚴(yán)重制約了硅基晶體管尺寸的進(jìn)一步縮小,限制了其在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路中的應(yīng)用。開發(fā)新材料和新技術(shù)對(duì)于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wol...
在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí),縮放并...
現(xiàn)代半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)中,MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高效、快速開關(guān)特性以及低功耗特性,被廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、信號(hào)放大等領(lǐng)域。然而,在實(shí)...
2024-12-03 標(biāo)簽:MOSFET晶體管驅(qū)動(dòng)電流 586 0
#參考設(shè)計(jì)#緊湊型逆變器,適用于采用 CoolGaN? 晶體管 100 V G3 的低壓電池應(yīng)用
這款適用于低壓電池應(yīng)用的緊湊型逆變器參考設(shè)計(jì)包括 12 個(gè) CoolGaN? 晶體管 100 V G3 (IGC033S10S1),采用半橋配置,所有相...
雖然 WAT測(cè)試類型非常多,不過業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類型都有一個(gè)明確的要求,就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所有的有源器件和無源器件的典型尺寸。芯片代工廠會(huì)依據(jù)這...
艾德克斯SPS5000軟件在BJT測(cè)試中的應(yīng)用
BJT即雙極性晶體管,俗稱三極管,是一種具有三個(gè)終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用...
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