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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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電氣接口的離散輸出高邊驅(qū)動(dòng)的詳細(xì)資料概述
離散輸出高邊驅(qū)動(dòng)。表B51給出了所有高邊驅(qū)動(dòng)輸出的電氣特性。分段顯示了高邊驅(qū)動(dòng)輸出子類別的具體示意圖和額外的電氣特性:ODH_Vs_x、ODHS_Vs_...
2018-07-01 標(biāo)簽:電氣PWM驅(qū)動(dòng) 6735 0
MOS管是由源極、漏極、門(mén)極和金屬氧化物層組成,其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分,它由一層金屬和一層氧化物組成,金屬層和氧化物層之間有一個(gè)很小的...
使用AD584電壓參考和晶體管實(shí)現(xiàn)大功率并聯(lián)穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)
可通過(guò)將VIN和VOUT連接在一起或使VIN保持開(kāi)路的方式,將一些電壓參考用作并聯(lián)穩(wěn)壓器。但是,此類器件僅可在低電流情況下(典型限值約為10mA)使用。...
阱區(qū)注入的工藝說(shuō)明如下圖所示,是高能量離子注入過(guò)程,因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi),而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
光電開(kāi)關(guān)檢測(cè)方法與特點(diǎn)
光電開(kāi)關(guān)由光發(fā)射器和光接收器組成,廣泛應(yīng)用在各類自動(dòng)控制電路中。具有無(wú)機(jī)械磨損、無(wú)電火花、無(wú)觸點(diǎn)、安全可靠的特點(diǎn)。
2019-08-05 標(biāo)簽:發(fā)射器晶體管光電開(kāi)關(guān) 6683 0
功率放大器的技術(shù)指標(biāo)和原理詳細(xì)說(shuō)明
為增進(jìn)大家對(duì)功率放大器的了解,本文將基于兩點(diǎn)對(duì)功率放大器予以介紹:1. 功率放大器的技術(shù)指標(biāo)有哪些?2. 功率放大器的原理是什么?如果您正在學(xué)習(xí)功率放大...
全球主要晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)路線圖
雕刻電路圖案的核心制造設(shè)備是光刻機(jī),它的精度決定了制程的精度。光刻機(jī)的運(yùn)作原理是先把設(shè)計(jì)好的芯片圖案印在掩膜上,用激光穿過(guò)掩膜和光學(xué)鏡片,將芯片圖案曝光...
對(duì)于PNP型三極管,C、E極分別為其內(nèi)部?jī)蓚€(gè)PN結(jié)的正極,B極為它們共同的負(fù)極,而對(duì)于NPN型三極管而言,則正好相反:C、E極分別為兩個(gè)PN結(jié)的負(fù)極,而...
2019-06-19 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 6656 0
差分放大電路(Differential Amplifier Circuit)是一種用于放大輸入信號(hào)的電路,常用于放大與地?zé)o關(guān)的差分信號(hào),例如在語(yǔ)音處理、...
E類功率放大器的電路結(jié)構(gòu)及并聯(lián)電容在其中的應(yīng)用分析
功率放大器的效率包括放大器件效率和輸出網(wǎng)絡(luò)的傳輸效率兩部分。功率放大器實(shí)質(zhì)上是一個(gè)能量轉(zhuǎn)換器,把電源供給的直流能量轉(zhuǎn)換為交流能量。晶體管轉(zhuǎn)換能量的能力常...
閃光器是用于指明汽車行駛方向變化的閃光裝置。它設(shè)計(jì)有新型電路,由低電壓開(kāi)關(guān)電路、高電壓開(kāi)關(guān)電路、脈沖發(fā)生電路、二極放大雙管輸出電路和兩組燈光指示電路組成...
前置放大器、線路放大器和功率放大器各適用什么場(chǎng)合
功率放大器主要是放大電流,這樣才能推動(dòng)低阻的揚(yáng)聲器發(fā)出聲音。當(dāng)然,這個(gè)例子是按音頻實(shí)例講的,若是射頻信號(hào),和這個(gè)講法會(huì)有些出入,但是意思差不多,像發(fā)射機(jī)...
MOSFET的工作原理類似于BJT晶體管,但有一個(gè)重要的區(qū)別: 對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流...
晶體管level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的?
這一篇,總結(jié)一下level shifter的晶體管級(jí)工作原理,就從最傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)講起,詳細(xì)分析這個(gè)level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的。
2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管電平轉(zhuǎn)換器晶體管 6581 0
常見(jiàn)射頻PA的類別簡(jiǎn)單總結(jié)
射頻PA(Power Amplifier,功率放大器,簡(jiǎn)稱功放)芯片耗電大,可靠性要求高,是無(wú)線通信系統(tǒng)中的重要組成部分。
2023-07-04 標(biāo)簽:功率放大器晶體管無(wú)線通信系統(tǒng) 6570 0
這是用于調(diào)頻收音機(jī)的有源天線放大器的電路圖。只需少量零件,您就可以構(gòu)建這款值得信賴的調(diào)頻放大器來(lái)增強(qiáng)無(wú)線電發(fā)射機(jī)的信號(hào)。該電路僅適用于 1 個(gè) UHF/...
表面貼裝技術(shù)(SMT) 工藝標(biāo)準(zhǔn)(2023精華版)
芯片載體(Chip carrier) --- 表面組裝集成電路的一種基本封裝形式, 它是將集成電路芯片和內(nèi)引線封裝于塑料或陶瓷殼體之內(nèi), 向殼外四邊引出...
對(duì)應(yīng)于0.5V低輸入電壓的1A高速LDO電壓調(diào)整器
既往的LDO如圖1所示,把P溝道MOS晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管使用。這種情況下,驅(qū)動(dòng)晶體管的VGS變得最大成為VIN-VSS之間的電壓,因?yàn)殡SVIN降低VG...
NoC技術(shù)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)、關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)步入納米階段,在單一芯片中集成上億晶體管已經(jīng)成為現(xiàn)實(shí),據(jù)ITRS(International Technology Roadmap f...
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