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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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IGBT系統(tǒng)功能介紹,IGBT吸收電路參數(shù)該如何計(jì)算?
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開關(guān)速...
)加速截止過程;當(dāng)輸入信號電壓U從高電平突然跳變到OV時(shí),如圖3(b)所示的tl時(shí)刻,由于Cl上原先充到的電壓極性為左正右負(fù),加到VT1基極的電壓為負(fù)尖...
開關(guān)電源芯片把開關(guān)電源所需要的控制邏輯都集成在芯片中,作用當(dāng)然是簡化電路設(shè)計(jì)、提高可靠性 作為AC-DC電源管理芯片給人們工作上和生活上帶來了很多...
2018-12-28 標(biāo)簽:芯片開關(guān)電源晶體管 2.4萬 0
詳細(xì)解析芯片里面的幾千萬的晶體管的實(shí)現(xiàn)
1、濕洗(用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質(zhì)) 2、光刻 (用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會(huì)容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣. ...
晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因_晶體管防護(hù)措施
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和新型元器件的問世, 開關(guān)電源以其體積小、重量輕、效率高、對電網(wǎng)電壓適應(yīng)范圍寬等優(yōu)勢, 越來越受到大家的青睞, 在絕大多數(shù)領(lǐng)域中取...
優(yōu)點(diǎn)是不同公共點(diǎn)之間可帶不同的交、直流負(fù)載,且電壓也可不同,帶負(fù)載電流可達(dá)2A/點(diǎn);但繼電器輸出方式不適用于高頻動(dòng)作的負(fù)載,這是由繼電器的壽命決 定的。...
產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因很多,任何元件參數(shù)的變化(包括電壓源電壓的波動(dòng)),都將造成輸出電壓漂移。實(shí)踐證明,溫度變化是產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因,也是最難克服的因素...
2016-12-08 標(biāo)簽:耦合晶體管零點(diǎn)漂移 2.4萬 0
第三個(gè)特性,當(dāng)E極接地,如果足夠大,那么就更加的大,這就預(yù)示著之間的電阻就更加的小。因?yàn)殡娏髟酱螅娮杈驮叫 P〉轿覀兘频恼J(rèn)為CE之間是短路的。電流大...
晶體管測試儀電路圖大全(CD4022/雙極晶體管/NE555時(shí)基電路圖詳解)
本文主要介紹了晶體管測試儀電路圖大全(CD4022/雙極晶體管/NE555時(shí)基電路圖詳解)。通過簡單晶體管測試儀可以判斷出晶體管的類型,并且能幫助檢測出...
發(fā)現(xiàn)一次擊穿發(fā)生時(shí)如不有效地限制電流,Ic增大到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì)突然急劇上升,同時(shí)伴隨著電壓的陡然下降,這種現(xiàn)象稱為二次擊穿。
半導(dǎo)體器件內(nèi)部的工作原理(動(dòng)畫講解)
在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子;在P型半導(dǎo)體中,空穴為多數(shù)載流子,自由電子為少數(shù)載流子。
2020-05-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管本征半導(dǎo)體 2.3萬 3
下圖為調(diào)光臺燈電路,可使燈泡兩端交流電壓在幾十伏至二百伏范圍內(nèi)變化,調(diào)光作用顯著。
2021-05-01 標(biāo)簽:晶閘管調(diào)光臺燈晶體管 2.3萬 0
N溝道MOSFET的基本概念、應(yīng)用電路及主要類型
眾所周知,MOSFET是晶體管的一種,也稱為IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)或MIFET(金屬絕緣體場效應(yīng)晶體管)。在MOSFET中,通道和柵極通過薄的...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.2萬 0
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