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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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FPGA電源設(shè)計有哪些規(guī)范設(shè)計
FPGA (Field Programmable Gate Arrays) 是現(xiàn)今最復(fù)雜的集成電路之一。它們采用先進(jìn)的晶體管技術(shù)和芯片架構(gòu)實現(xiàn)高性能、小...
2021-07-05 標(biāo)簽:fpga晶體管電源調(diào)節(jié)器 2529 0
高頻小信號放大器不穩(wěn)定的主要原因與晶體管的內(nèi)部特性和電路設(shè)計有關(guān)。以下是具體的原因分析: 一、晶體管內(nèi)部特性 反向傳輸導(dǎo)納Yre的存在 :晶體管存在反向...
電子管功放機(jī),又稱為真空管功放機(jī),是一種使用電子管作為主要放大元件的音頻放大器。它在20世紀(jì)初至20世紀(jì)50年代期間,曾經(jīng)是音響設(shè)備的主要形式。然而,隨...
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效...
晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)...
太陽能電池電壓調(diào)節(jié)器是離網(wǎng)太陽能系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,主要是防止電池過度充電,同時調(diào)節(jié)和控制從太陽能電池板提供給電池和連接的電子設(shè)備的電壓。
傳輸門或模擬開關(guān)被定義為一種電子元件,它將選擇性地阻止或傳遞從輸入到輸出的信號電平。該固態(tài)開關(guān)由pMOS晶體管和nMOS晶體管組成。控制柵極以互補(bǔ)方式偏...
實際上,CPU里都有壞了晶體管!在設(shè)計的時候就考慮過,這被稱為工業(yè)產(chǎn)品設(shè)計的冗余度。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見的兩種功率開關(guān)器件。它們在許多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作...
兩個開關(guān)電源并聯(lián)使用是一個相對復(fù)雜的話題,涉及到電子電路設(shè)計、電源管理、安全規(guī)范等多個方面。 1. 開關(guān)電源的基本原理 開關(guān)電源是一種通過電子開關(guān)元件(...
2024-10-09 標(biāo)簽:開關(guān)電源晶體管電子電路 2501 0
開漏輸出(Open-Drain Output)是一種常見的電子電路輸出方式,廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、模擬電路和混合信號電路中。開漏輸出的特點是輸出端具有低阻...
由于電力晶體管既具備晶體管飽和壓降低、開關(guān)時間短和安全工作區(qū)寬等固有特性,又增大了功率容量; 因此由它所組成的電路靈活、成熟、開關(guān)損耗小、開關(guān)時間短,在...
MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管的源漏是可互換的,它們是在P型背柵中形成的N形區(qū)域。在大多數(shù)情況下,這兩...
在電子工程領(lǐng)域中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)因其高集成度、低功耗等特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,MOSFET在開關(guān)過程中可能...
功率放大電路的靜態(tài)工作點設(shè)置是確保電路正常工作和性能的關(guān)鍵因素之一。靜態(tài)工作點,也稱為偏置點或Q點,是指在沒有輸入信號時,晶體管或電子管的直流工作狀態(tài)。...
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