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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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如何使用運(yùn)算放大器對(duì)電源和電池進(jìn)行測(cè)試?
對(duì)電源和電池進(jìn)行測(cè)試,需要使用能夠吸收大電流并能消耗大量功率的電流負(fù)載。本文所介紹的這種電流負(fù)載設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單而又準(zhǔn)確,它只需要使用一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)功率M...
在計(jì)算機(jī)芯片里面實(shí)現(xiàn)1+1=2的過(guò)程
在計(jì)算機(jī)中,CPU作為中央處理器,內(nèi)部包含了算術(shù)邏輯單元,可以實(shí)現(xiàn)數(shù)學(xué)運(yùn)算。要計(jì)算1+1=2,就需要從微架構(gòu)級(jí)、邏輯門級(jí)、晶體管級(jí)、物理級(jí)等方面進(jìn)行分析。
在電子電路設(shè)計(jì)中,限制工作電流的電路是非常重要的。工作電流是指電路在正常工作時(shí)所需的電流。如果電路中的電流超過(guò)了工作電流的限制,就有可能導(dǎo)致電路的損壞或...
2023-12-14 標(biāo)簽:電流電路設(shè)計(jì)元件 2371 0
PowerMOSFET在變頻器電路中如何起續(xù)流保護(hù)作用
PowerMOSFET有三個(gè)極,即源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。控制信號(hào)“GS加于柵極和源極之間,改動(dòng)UGS的大小,便可改動(dòng)漏極電流ID的大小。由...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降和高電流容量等特點(diǎn)。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT...
基于霓虹燈串行級(jí)聯(lián)LED選擇脈沖頻率和寬度實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)電壓
為了像使用“ neopixel”一樣使用INS-1霓虹燈,我開始了此次項(xiàng)目。
用熱反射測(cè)溫技術(shù)測(cè)量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度
第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管(HEMT)具備較高的功率密度,同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng),在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性...
三極管,全稱為雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT),是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成...
特斯拉線圈可能是我們所能建造的最酷的實(shí)驗(yàn)電路。特斯拉線圈的設(shè)計(jì)和制造復(fù)雜程度各不相同。在這里,我們?cè)O(shè)計(jì)了這種特斯拉線圈電路的最簡(jiǎn)單形式。這個(gè) DIY 電...
當(dāng)我們需要設(shè)計(jì)一個(gè)具有特定性能的DAC時(shí),很可能沒(méi)有任何一種架構(gòu)是理想的。這種情況下,可以將兩個(gè)或更多DAC組合成一個(gè)更高分辨率的DAC,以獲得所需的性...
EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory,可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,能夠在斷電后保持...
甲類放大器,又稱為A類放大器,是功率放大器中的一種重要類型。它在信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)(即正弦波的正負(fù)兩個(gè)半周),放大器的任何功率輸出元件都不會(huì)出現(xiàn)電流截止(...
溫度對(duì)MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)壽命的影響是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題,它不僅關(guān)系到電子產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性,還直接影響到產(chǎn)品的使用壽命和可靠性。以...
我們都知道,CPU的性能和芯片中所擁有的晶體管數(shù)量呈正相關(guān)。可想而知,在制程不變的前提下,只要芯片的面積翻倍,性能也會(huì)相應(yīng)的提升,像64核128線程的A...
三極晶體管電路設(shè)計(jì)的特性和特點(diǎn)分析
三極晶體管電路設(shè)計(jì)輸出特性曲線(共發(fā)射極),晶體三極管是由形成二個(gè)PN結(jié)的三部分半導(dǎo)體組成的,其組成形式有PNP型及NPN型。
2020-04-05 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)晶體管 2350 0
與東芝當(dāng)前的晶體管耦合器TLP292-4和TLP293-4相比,這兩款產(chǎn)品集成了一個(gè)用于晶體管基極存儲(chǔ)電荷的放電電阻器,因此傳輸延遲時(shí)間更短。絕緣性能方...
而臺(tái)積電在堅(jiān)持了 20nm 和 16nm 兩代之后,也主動(dòng)回到了 10nm 的正軌。原因非常簡(jiǎn)單,因?yàn)?NAND 顆粒并不是制程越小性能越好,20nm ...
TTL(晶體管-晶體管邏輯)三態(tài)門是一種特殊類型的數(shù)字邏輯門,它具有三種輸出狀態(tài):高電平、低電平和高阻抗?fàn)顟B(tài)(也稱為三態(tài)或高阻態(tài))。
光耦繼電器是一種電子元器件,也是固態(tài)繼電器的一種,其主要作用是隔離輸入與輸出電路,用于保護(hù)或者控制電路的正常工作。
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