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晶體結構技術

逆壓電效應的概念及其特點

逆壓電效應，又稱為壓電逆效應或電致伸縮效應，是指某些材料在受到電場作用時，會發(fā)生形變或位移的現(xiàn)象。這種效應在壓電材料中尤為顯著，具有廣泛的應用價值。一...

2024-07-26 標簽：電場壓電材料逆壓電效應 5437 0

外延片和拋光片區(qū)別在哪

外延片和拋光片是兩種不同的半導體材料加工工藝，它們在制造過程中有著不同的應用和特點。本文將介紹外延片和拋光片的區(qū)別。一、外延片的定義和制備方法外延片...

2024-07-12 標簽：半導體材料金屬外延片 2640 0

Nature：預測晶型！

本工作的自由能計算方法TRHu(ST)23（帶有標準偏差的溫度和相對濕度相關自由能計算的縮寫）結合了復合 PBE0+MBD+Fvib方法（其中PBE0是...

2023-11-20 標簽：cpu 量化晶體結構 870 0

三種典型的金屬晶體結構

最常見的金屬晶體結構有面心立方結構、體心立方結構和密排立方結構。

2023-11-18 標簽：晶體金屬晶體結構 3.2萬 0

電子技術基礎知識分析

1、純凈的半導體是四價元素，呈晶體結構，內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。 2、半導體有電子導電和空穴導電兩種形式。 3、硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化...

2023-09-22 標簽：二極管半導體電子技術 1079 0

什么是孿晶？孿晶是怎樣形成的？

孿晶是指兩個晶體(或一個晶體的兩部分)沿一個公共晶面(即特定取向關系)構成鏡面對稱的位向關系，這兩個晶體就稱為"孿晶"，此公共晶面就...

2023-09-15 標簽：衍射晶體晶體結構 1.1萬 0

什么是晶體缺陷晶體缺陷的類型

晶體結構中質(zhì)點排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現(xiàn)為晶體結構中局部范圍內(nèi)，質(zhì)點的排布偏離周期性重復的空間格子規(guī)律而出現(xiàn)錯亂的現(xiàn)象。根據(jù)錯亂排...

2023-07-14 標簽：晶體晶體結構 3913 0

Nature：預測晶體結構！

作者提供了一種普遍適用的CSP算法，該算法處理可能原子位置的連續(xù)空間，以正確預測不同的結構集。該方法確定了算法之前未知的所有原子位置。所使用的局部極小與...

2023-07-13 標簽：算法晶格晶體結構 1203 0

石墨烯制備新技能：超臨界流體技術

何為超臨界流體？超臨界流體(supercritical fluids，SCF)具有類似氣體的擴散性質(zhì)，其界面張力為零,容易實現(xiàn)石墨插層；具有類似液體的溶...

2023-07-06 標簽：石墨烯復合材料晶體結構 1709 0

AuToFF應用案例——冰融化模擬及TIP4P/ICE水模型使用

在模擬過程中，模擬步長設為２fs，采用Verlet算法來計算運動方程。模擬體系的三個方向均考慮周期性，是體相的模擬。

2023-06-03 標簽：ICE TOF 晶體結構 6793 0

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碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關注。 1. 碳化硅的基本特性 ...

2025-01-24 標簽：碳化硅熱導率晶體結構 1217 0

碳化硅的生產(chǎn)工藝解析

1. 碳化硅的合成方法碳化硅的合成方法主要有以下幾種：直接合成法：通過在高溫下將硅和碳直接反應生成碳化硅。化學氣相沉積（CVD）：利用氣體反應...

2025-01-23 標簽：半導體器件碳化硅晶體結構 2051 0

硅碳化物和氮化鎵的晶體結構

相比之下，氮化鎵在自然中以閃鋅礦（一種鋅和鐵的硫化物）的形式存在，在這種分布稀少的情況下，提純生產(chǎn)極其困難。與SiC相比，氮化鎵在射頻電子學中表現(xiàn)最佳，...

2024-03-01 標簽：SiC GaN 晶體結構 1254 0

研究人員正試圖制造出使用DRX材料來提高電池的循環(huán)壽命

隨著汽車、卡車和公共汽車（甚至飛機和火車）越來越多地從燃燒化石燃料轉向使用電池，對關鍵電池金屬的需求開始飆升。根據(jù)市場情報公司S&P Global最近的...

2023-10-18 標簽：電動汽車電池電池晶體結構 1432 0

海德堡研究所開發(fā)出新型有機-無機半導體可產(chǎn)生圓偏振光

產(chǎn)生明亮的圓偏振光長期以來一直是材料科學的目標。人們認為，同時實現(xiàn)獨特的手性（光在給定方向上的旋轉）和高光致發(fā)光量子效率（PLQE）是極其困難的。PLQ...

2023-10-10 標簽：半導體激光光譜晶體結構 1127 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應用領域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標簽：半導體材料氮化鎵寬禁帶 2535 0

準一維BaTiS3單晶近紅外偏振光探測器

該研究采用改進的化學蒸汽輸運工藝成功制備了高質(zhì)量、厘米級的針狀BaTiS3單晶。BaTiS3單晶具有0.8eV的窄帶隙，n型本征電導率，以及沿c軸超過3...

2023-01-09 標簽：探測器電導率晶體結構 1472 0

中科院化學所發(fā)展出結構色3D打印新策略

近日，中國科學院化學研究所綠色印刷院重點實驗室研究員宋延林、副研究員吳磊等，利用氫鍵輔助的膠體顆粒墨水，基于連續(xù)數(shù)字光處理（DLP）3D打印技術，實現(xiàn)了...

2022-12-12 標簽：光學器件 3D打印晶體結構 778 0

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單面板

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單面板就是在最基本的PCB上，零件集中在其中一面，導線則集中在另一面上。因為導線只出現(xiàn)在其中一面，所以們就稱這種PCB叫作單面板。
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警示燈

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電流變送器

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電流變送器可以直接將被測主回路交流電流或者直流電流轉換成按線性比例輸出的DC4～20mA（通過250Ω 電阻轉換DC 1～5V或通過500Ω電阻轉換DC2～10V）恒流環(huán)標準信號，連續(xù)輸送到接收裝置（計算機或顯示儀表）。
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同向緩沖器

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同相緩沖器是兩個非門接在一起，起到數(shù)據(jù)延緩傳輸?shù)淖饔谩Ｔ谟嬎銠C領域，同相緩沖器指的是緩沖寄存器，它分輸入同相緩沖器和輸出同相緩沖器兩種。
以太網(wǎng)PHY

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PHY是物理接口收發(fā)器，它實現(xiàn)物理層。IEEE-802.3標準定義了以太網(wǎng)PHY。它符合IEEE-802.3k中用于10BaseT（第14條）和100BaseTX（第24條和第25條）的規(guī)范。
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D類鎖存器

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　　鎖存器（Latch）是一種對脈沖電平敏感的存儲單元電路。　　鐘控D觸發(fā)器其實就是D鎖存器，邊沿D觸發(fā)器才是真正的D觸發(fā)器，鐘控D觸發(fā)器在使能情況下輸出隨輸入變化，邊沿觸發(fā)器只有在邊沿跳變的情況下輸出才變化。
D類觸發(fā)器

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　D觸發(fā)器是一個具有記憶功能的，具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)的信息存儲器件，是構成多種時序電路的最基本邏輯單元。
光纖網(wǎng)絡IC

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光纖網(wǎng)絡是利用光在玻璃或塑料制成的纖維中的全反射原理而達成的光傳導工具接到公司或家或機房。利用交換機或其他終端轉換為普通RJ45網(wǎng)線接到電腦上，也叫LAN，由交換機或其他終端自動分配IP，內(nèi)網(wǎng)IP需要在終端后臺設置，默認為自動，不用撥號。
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鏈路指無源的點到點的物理連接。鏈路一般用來描述通信的物理載體，比如光纖鏈路、銅線鏈路，可以等同于物理介質(zhì)。信道則是通信的邏輯概念，看不見摸不著，但卻存在著，比如一個語音電話就是由一個信道承載。
寄存收發(fā)器

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標準收發(fā)器

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收發(fā)器是信號轉換的一種裝置，通常是指光纖收發(fā)器。光纖收發(fā)器的出現(xiàn)，將雙絞線電信號和光信號進行相互轉換，確保了數(shù)據(jù)包在兩個網(wǎng)絡間順暢傳輸，同時它將網(wǎng)絡的傳輸距離極限從銅線的100米擴展到100公里（單模光纖）。
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