碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 ...

2025-01-24 標(biāo)簽：碳化硅熱導(dǎo)率晶體結(jié)構(gòu) 820 0

碳化硅的生產(chǎn)工藝解析

1. 碳化硅的合成方法 碳化硅的合成方法主要有以下幾種： 直接合成法 ：通過在高溫下將硅和碳直接反應(yīng)生成碳化硅。 化學(xué)氣相沉積（CVD） ：利用氣體反應(yīng)...

2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅晶體結(jié)構(gòu) 1443 0

研究人員正試圖制造出使用DRX材料來提高電池的循環(huán)壽命

隨著汽車、卡車和公共汽車（甚至飛機(jī)和火車）越來越多地從燃燒化石燃料轉(zhuǎn)向使用電池，對(duì)關(guān)鍵電池金屬的需求開始飆升。根據(jù)市場(chǎng)情報(bào)公司S&P Global最近的...

2023-10-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電池電池晶體結(jié)構(gòu) 1332 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2339 0

準(zhǔn)一維BaTiS3單晶近紅外偏振光探測(cè)器

該研究采用改進(jìn)的化學(xué)蒸汽輸運(yùn)工藝成功制備了高質(zhì)量、厘米級(jí)的針狀BaTiS3單晶。BaTiS3單晶具有0.8eV的窄帶隙，n型本征電導(dǎo)率，以及沿c軸超過3...

2023-01-09 標(biāo)簽：探測(cè)器電導(dǎo)率晶體結(jié)構(gòu) 1361 0

中科院化學(xué)所發(fā)展出結(jié)構(gòu)色3D打印新策略

近日，中國科學(xué)院化學(xué)研究所綠色印刷院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員宋延林、副研究員吳磊等，利用氫鍵輔助的膠體顆粒墨水，基于連續(xù)數(shù)字光處理（DLP）3D打印技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了...

2022-12-12 標(biāo)簽：光學(xué)器件3D打印晶體結(jié)構(gòu) 718 0