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標簽 > 氮化硅
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優異的機械和電性能。
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本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應力膜 氮化硅膜在MEMS中應用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學腐蝕，疏水...
在芯片制造這一復雜且精妙的領域中，氮化硅（SiNx）占據著極為重要的地位，絕大多數芯片的生產都離不開它的參與。從其構成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元...
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應物中氫的含量較低。氮...
異質結電池結構相比Topcon 電池本身更適合疊層: 因為鈣礦電池與異質結電池進行疊層，異質結電池表面本身就是 TCO，異質結電池的產線無需做更改。
光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應用領域，適用于不同的光子器件和集成芯片設計。
LPCVD是低壓化學氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，...
相較于本征應力，熱應力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數差來實現懸臂梁的驅動。在雙層膜形成的MEMS熱驅動器...
研究還表明，重復率的穩定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復率的穩定性相聯系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導同步KIS，表現出了相反色散...
介紹了光量子芯片在未來實現可實用化大規模光量子計算與信息處理應用方面展示出巨大潛力，并對硅基集成光量子芯片技術進行介紹。
硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優良性質？有哪些應用？又是怎樣制造...
氮化硅（Si3N4） 基板在各項性能方面表現最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級電動汽車驅動逆變器中的應用。
隨著電子技術的飛速發展，各種新型材料也不斷涌現。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優良的性能表現備受矚目，成為電子行業中備受關注的材料之一。
熱性能一直是PCB設計和制造工程師最關心的問題，而具有高導熱率的PCB基板材料在改善PCB的熱性能方面起著重要作用。
對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(ILD)、低k電介質、溝槽ESL、低k電介質的和覆蓋層(下圖(a))。
WCMP是電子束檢測應用最重要的一層，這一層的功能主要體現在：可以使工程師遇到器件的漏電和接觸不良問題。EBI的應用可以幫助提升成品率，減少半導體ict...
晶圓是制作硅半導體IC所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「硅」， IC（Integrated Circuit）廠用的硅晶片即為硅晶體，因為整片的硅...
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特...
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