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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...
第三代半導體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發展推動了功率器件尤其是半導體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板...
一種是通過生長碳化硅同質外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質外延...
拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！
看了一個拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現代裝飾風格。插座配備了一個新國標五孔插孔和一個新國標兩孔插孔，并...
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導體的直接接觸會導致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高...
當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
RF LDMOS之于早期蜂窩網絡，氮化鎵（GaN）之于現代和高頻應用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優勢：
氮化鎵是在高頻應用中實現高效運行的無可爭議的技術，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應用。SiC器件上的GaN可以為這些應用提供急需的高溫可靠性和...
深度拆解：納微NV6136A助力打造聯想超薄餅干65W氮化鎵充電器
同時充電器具有65W主流輸出功率，功率密度高達1.39W/cm3，并且兼容PD3.0、QC3.0以及PPS三大快充協議，成為快充界的“卷王擔當”。下面來...
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3...
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...
隨著第三代半導體材料的逐步應用，對頻率要求更高，據我們了解理想頻率應達到300KHz以上。對磁芯來說，您認為頻率應達到多少才會滿足需求？對磁芯的選材有什么要求？
激光雷達（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發射光掃過真實世界的場景，可以收集三維信息以供計算機系統...
半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...
前不久，來自瑞典的研究人員就設計并測試了第一個木制晶體管。團隊發表了一篇題為“木材電化學晶體管中的電流調制”的論文，討論了他們最近開發的木材電化學晶體管...
面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。
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