GaN使硅變得容易

就像生活中的現實一樣，當老年人離開年輕人的舞臺時，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來，隨...

2022-07-27 標簽：MOSFET氮化鎵GaN 878 0

GaN改進了D類放大器

對于那些堅持使用經典放大器拓撲結構的人來說，他們的要求將集中在準確的音頻再現上，而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環境中是完全合理的，但...

2022-07-27 標簽：放大器MOSFET氮化鎵 1281 0

通過硅和GaN實現高性能電源設計

MasterGaN 將硅與 GaN 相結合，以加速創建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達 400 W 的消費和工業應用。通過使用 GaN...

2022-07-27 標簽：電源晶體管氮化鎵 639 0

增強型GaN HEMT的漏極電流特性

已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 （MIS） 結構，2具有由電壓驅...

2022-07-25 標簽：氮化鎵HEMT 4357 0

高效電源管理系統設計的發展趨勢

從智能手機和電動汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們日常使用的電子產品的關鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設計...

2022-07-14 標簽：電源管理emi氮化鎵 822 0

氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機的電機驅動器

基于氮化鎵器件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優化了電機系統且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這...

2022-06-06 標簽：集成電路氮化鎵電機驅動器 2756 0

采用LDR6282的PD協議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解

雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...

2022-05-13 標簽：適配器擴展塢PD 7555 0

意法半導體首款氮化鎵功率轉換器瞄準下一代50W高能效電源設計

VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...

2022-05-12 標簽：轉換器意法半導體氮化鎵 5906 0

如何對氮化鎵基發光二極管結構進行干法刻蝕

氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優...

2022-04-26 標簽：發光二極管氮化鎵蝕刻 2371 0

現場可編程門陣列 (FPGA) 電源設計

為了擴大 GaN 在汽車、并網存儲和太陽能等新應用中的應用（圖 3），TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...

2022-04-22 標簽：fpga氮化鎵GaN 5734 0

一種強有力的各向異性濕法化學刻蝕技術

我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結晶蝕刻，蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體...

2022-04-14 標簽：工藝氮化鎵蝕刻 1591 0

氮化鎵(GaN)技術的優勢及應用領域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相，目前廣泛應用于商業和國防領域，但工程應用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...

2022-03-10 標簽：射頻氮化鎵GaN 1.1萬 0

GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩定性，已成為短波長發射器（發光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應用的誘人半導體，以及高功率和高溫電子器件。...

2022-02-08 標簽：氮化鎵CMPGaN 3903 0

射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

在現代5G無線電架構中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。

2022-01-26 標簽：射頻功率放大器無線電 4048 0