利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源

在傳統的有源鉗位設計中，初級MOSFET和有源鉗位開關以互補方式進行工作（因此這些鉗位電路被稱為“互補模式有源鉗位”電路）。

2021-10-27 標簽：變壓器MOSFET氮化鎵 1699 0

氮化鎵如何使更輕小的5G解決方案成為可能

隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網絡有望提供三種非常重要的功能，進而改變我們應用無線技術的方式。

2021-09-15 標簽：無線電氮化鎵柵極驅動器 3910 0

氮化鎵充電器有什么優點？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內部來看這個充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標簽：充電器asic氮化鎵 1.2萬 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術的“甜區”在哪里？

2021-06-02 標簽：MOSFET逆變器IGBT 3133 0

ROHM借助更合適的同步整流技術滿足市場需求

如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會流過體二極管，從而導致MOSFET過熱。

2021-05-18 標簽：MOSFET氮化鎵同步整流 1804 0

電機驅動中氮化鎵技術的應用前景

通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用...

2021-04-28 標簽：電機驅動功率器件氮化鎵 2709 0

用氮化鎵消除激光雷達的障礙

激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...

2021-04-14 標簽：傳感器氮化鎵激光雷達 1329 0

【全套國產芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設計評測

對亞成微 65W氮化鎵快充參考設計進行溫升測試，在溫度約為25℃的恒溫箱內以 功率持續輸出1小時，測得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點出現在變...

2021-04-02 標簽：微控制器pcb氮化鎵 3240 0

GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET

選用本款HGN093N12S/SL產品， 可以讓客戶提高整機效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現與CP值都能有效提升。

2021-03-23 標簽：MOSFETMOS管氮化鎵 3479 0

詳談氮化鎵充電器的發展趨勢及現狀

氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊式傳統硅（Si）技術快了二十倍，并且能夠實現高出三倍的功率，用于尖端快...

2021-02-25 標簽：充電器氮化鎵快充技術 3699 0

SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長

氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優勢。GaN還是高能效...

2021-04-04 標簽：ledSiC氮化鎵 1799 0