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線材測(cè)試機(jī),也叫線材測(cè)試儀,一般現(xiàn)在為三種。
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斷路器測(cè)試儀是電力系統(tǒng)中用于測(cè)試斷路器性能的重要工具,它能夠有效地評(píng)估斷路器的機(jī)械特性、電氣特性以及時(shí)間-電流特性等,對(duì)于確保電力系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行具有...
2024-05-15 標(biāo)簽:測(cè)試儀電力系統(tǒng)斷路器 1008 0
醫(yī)療電子產(chǎn)品膀胱測(cè)試儀輻射騷擾度問題的改進(jìn)方案
該樣機(jī)主要工作原理為通過探頭采集人體膀胱數(shù)據(jù)(模擬數(shù)據(jù)),然后經(jīng)過數(shù)據(jù)處理(AD轉(zhuǎn)換)后在顯示模塊上顯示出來。
PECVD工藝中RF射頻功率對(duì)μc-Si:H薄膜各項(xiàng)參數(shù)影響
HJT太陽能電池已經(jīng)在正、背表面實(shí)現(xiàn)了鈍化接觸,因此獲得了較高的開路電壓,明顯高于TOPCon電池和PERC電池。但正表面的非晶硅層存在較為嚴(yán)重的寄生吸...
Simcenter Micred Power Tester功率循環(huán)測(cè)試儀
SimcenterMicredPowerTester功率循環(huán)測(cè)試儀使用結(jié)合了有效功率循環(huán)和熱結(jié)構(gòu)退化監(jiān)測(cè)的測(cè)試硬件,評(píng)估功率半導(dǎo)體的熱可靠性和使用壽命。...
2025-01-09 標(biāo)簽:測(cè)試儀功率半導(dǎo)體 965 0
探索無損密封檢測(cè)技術(shù):真空衰減法測(cè)試的原理及實(shí)踐
探索無損密封檢測(cè)技術(shù)真空衰減法測(cè)試的原理及實(shí)踐在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中,確保產(chǎn)品的密封性對(duì)于保障產(chǎn)品質(zhì)量和安全至關(guān)重要。隨著技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的密封性檢測(cè)方法逐漸...
如何更高效、更準(zhǔn)確地測(cè)試驗(yàn)證帶有Redriver的PCIe鏈路?
Redriver是一種常見的電子器件,用于在高速數(shù)字信號(hào)傳輸中增強(qiáng)信號(hào)的幅度和質(zhì)量,以擴(kuò)展傳輸距離和提高信號(hào)可靠性。Redriver通常用于數(shù)據(jù)中心、通...
2023-05-04 標(biāo)簽:測(cè)試儀通信系統(tǒng)數(shù)據(jù)中心 951 0
HDGK-8C高壓開關(guān)動(dòng)作特性測(cè)試儀軟件的詳細(xì)使用說明
HDGK-8C高壓開關(guān)動(dòng)作特性測(cè)試儀菜單說明:開機(jī)后進(jìn)入儀器操作主界面,有參數(shù)設(shè)置、特性測(cè)試、數(shù)據(jù)管理、重合閘、低跳測(cè)試、老化試驗(yàn)共六個(gè)菜單,如下圖A、...
2024-08-09 標(biāo)簽:測(cè)試儀儀器高壓開關(guān) 939 0
AT810DLCR數(shù)字電橋的技術(shù)規(guī)格和性能特征分析
AT810D采用高能處理器,使用高亮彩色VFD屏幕的智能LCR測(cè)試儀器。大規(guī)模的貼片技術(shù)的運(yùn)用,使得AT810D僅需微型機(jī)箱即可容納。依賴于安柏儀器精湛...
2020-12-30 標(biāo)簽:處理器測(cè)試儀操作系統(tǒng) 906 0
二極管測(cè)試儀的調(diào)試步驟可能因具體型號(hào)和品牌而有所差異,但以下是一個(gè)一般的調(diào)試步驟概述。
購買氣密性測(cè)試儀要看什么參數(shù)?怎么設(shè)置參數(shù)操作
??在制造業(yè)的世界里,氣密性測(cè)試儀就像是一位細(xì)心的質(zhì)檢員,默默守護(hù)著產(chǎn)品的品質(zhì)。選擇合適的氣密性檢測(cè)儀并正確設(shè)置參數(shù),對(duì)于提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要...
HDJB六相微機(jī)繼電保護(hù)測(cè)試儀做遞變?cè)囼?yàn)方法整組試驗(yàn)
整組試驗(yàn)整組試驗(yàn)單元主要用于測(cè)試距離、零序、過流等保護(hù)裝置以及重合閘的動(dòng)作,可以模擬電力系統(tǒng)中各種簡(jiǎn)單的單相接地、兩相相間、兩相接地和三相短路故障,包括...
芯片焊點(diǎn)推拉力測(cè)試機(jī)測(cè)試模塊、夾具、鉤針和推刀配置
芯片焊點(diǎn)鍵合面上的金絲球鍵合或封裝鍵合面上的鋁楔形鍵合的鍵合強(qiáng)度測(cè)定方法-推拉力測(cè)試機(jī),可在器件封裝前或封裝后進(jìn)行測(cè)定。鍵合強(qiáng)度的推拉力測(cè)量在確定如下兩...
2024-07-15 標(biāo)簽:芯片測(cè)試儀測(cè)試機(jī) 893 0
直流電阻快速測(cè)試儀操作方法——每日了解電力知識(shí)
今天武漢摩恩智能電氣有限公司帶大家了解一下MEZRC-10A直流電阻快速測(cè)試儀。 MEZRC-10A直流電阻快速測(cè)試儀測(cè)試接線: A、單相測(cè)量法,見下圖...
高阻型霍爾效應(yīng)測(cè)試儀JH60E的技術(shù)參數(shù)
高阻型霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦,控溫儀,系統(tǒng)軟件。
2023-06-07 標(biāo)簽:測(cè)試儀半導(dǎo)體霍爾效應(yīng) 883 0
紫外拉曼光譜在微晶硅薄膜結(jié)晶度分析中的優(yōu)勢(shì)
硅薄膜的結(jié)晶度(晶體結(jié)構(gòu)所占的比例)對(duì)光伏電池性能至關(guān)重要。由于大多數(shù)硅薄膜表征信號(hào)會(huì)被襯底信號(hào)掩蓋,因此難以確定其結(jié)晶度。拉曼光譜、橢偏光譜、透射電子...
CA6423三極法接地電阻測(cè)試儀的特點(diǎn)及應(yīng)用范圍
CA6423的接地電阻測(cè)量范圍為10mΩ至1999Ω,帶自動(dòng)量程切換功能,可自動(dòng)選擇最佳量程檔位。操作簡(jiǎn)便,只需連接測(cè)試線,按下測(cè)試按鈕即可讀數(shù)。大型L...
導(dǎo)通測(cè)試儀的要求是其電流要足夠小,以免損壞被測(cè)電路。這個(gè)簡(jiǎn)單的電路向被測(cè)電路中的被測(cè)路徑注入不超過 0.6 mA 的電流。原理圖描述了電路的所有電路。
大容量電纜測(cè)試儀的設(shè)計(jì)應(yīng)用和測(cè)量的整體方案
目前,大容量的電纜線束廣泛用于汽車、船舶和航天航空等高端領(lǐng)域,為了保證電纜線 束的安全可靠使用,必須對(duì)線束的配線、阻抗和絕緣性能等進(jìn)行嚴(yán)格的檢測(cè)。如果采...
HDJB六相微機(jī)繼電保護(hù)測(cè)試儀時(shí)間特性試驗(yàn)方法
時(shí)間特性時(shí)間特性試驗(yàn)單元主要用于反時(shí)限繼電器的動(dòng)作時(shí)間特性測(cè)試,包括i-t特性、v-t特性、f-t特性和v*/f*-t特性。試驗(yàn)原理試驗(yàn)步驟試驗(yàn)步驟1:...
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