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電存儲器

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　　鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。

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電存儲器簡介

　　FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，并達到一種穩定狀態；當電場從晶體移走后，中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置，因此FRAM保持數據不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新。

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一種新型存儲器件—磁電存儲器

摘要：磁電存儲器不僅存取速度快、功耗小，而且集動態RAM、磁盤存儲和高速緩沖存儲器功能于一身，因而已成為動態存儲器研究領域的一個熱點。文章總結了磁電

2006-03-24 標簽：電存儲器 1696 0

電存儲器數據手冊

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